一种无铅钙钛矿薄膜忆阻器及其制备方法
摘要:
本发明公开一种无铅钙钛矿薄膜忆阻器,该忆阻器为“三明治”结构,顺次由顶电极、无机阻变功能层和底电极组成,顶电极为金属电极,无机阻变功能层为Cs‑Cu‑I钙钛矿薄膜。该忆阻器的整体制备过程可靠稳定,所得忆阻器具有绿色环保的特点;在改善器件性能一致性、环境依赖性的同时,在仿生突触塑性模拟方面也有很大提高,其可利用较低电压实现对器件电流的操控,并实现了稳定可重构的连续脉冲的写入/擦除,为低功耗、神经形态计算提供了有利条件,同时该忆阻器拥有较低功耗,为生物功能模拟以及神经形态计算提供了可能。
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