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公开(公告)号：CN118748908A
公开(公告)日：2024-10-08
申请号：CN202410891366.6
申请日：2024-07-04
申请人： 南京邮电大学
摘要： 本发明属于半导体和神经形态硬件领域，公开了一种兼具自愈合功能和高线性度输出的忆阻器及制备方法，忆阻器包括由上至下依次设置的氧化铟锡电极、电解质层和俘获层，电解质层、俘获层均具有自愈合功能，电解质层和俘获层之间通过形成氢键实现良好的自愈性，同时电解质层薄膜、俘获层薄膜之间由于自愈而导致的界面消失使得离子不需要克服势垒而是在电场作用下就能在两层膜之间发生定向移动以实现高线性变化的电导调制。本发明为可自愈神经形态器件的设计以及实现高精度神经形态提供了可行方案。
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公开(公告)号：CN115696940A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202211384331.0
申请日：2022-11-07
申请人： 南京邮电大学
IPC分类号： H10K30/65
摘要： 本发明公开一种有机突触晶体管及其在自适应视觉仿生方面的应用，属于仿生电子信息技术领域，该有机突触晶体管器件的聚合物薄膜层具有多孔微纳结构，源漏电极层和有机光敏半导体层利用聚合物薄膜的自模板化作用均呈现周期性生长的多孔微纳形貌；光敏半导体界面处的多孔微纳结构有助于光生激子的捕获和分离，进而提高器件光敏性能；且该有机突触晶体管在阶梯式光强脉冲刺激下，沟道内源漏电流随光强增大而增大，但电流增益逐渐减缓，易失性逐步增强，这种阶梯式刺激下的电流响应趋势与人眼视觉自适应行为相类似，有助于人眼自适应突触功能的实现。
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公开(公告)号：CN115513376A
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202211113305.4
申请日：2022-09-14
申请人： 南京邮电大学
摘要： 本发明属于半导体技术和神经形态硬件领域，具体涉及一种具有单极性电压调控性能的异质结突触晶体管及其制备方法。本发明所述异质结突触晶体管，从下至上依次为衬底（1）、栅电极（2）、栅绝缘层（3）、电荷俘获层（4）、P/N异质结（5）和源漏电极（6）。所述的P/N异质结分为P型半导体层和N型半导体层两层。本发明利用制备的P/N异质结结构以及电荷俘获层实现异质结突触晶体管的双极性特性，即异质结突触晶体管既能实现N型特性也能实现P型特性。并且在异质结突触晶体管双极性的基础上，通过P/N异质结和电荷俘获层的协同或者竞争作用，结合单极性电压的调控方法，能够实现器件单极性电压的可调控制。
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公开(公告)号：CN111276612A
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN202010084379.4
申请日：2020-02-10
申请人： 南京邮电大学
摘要： 本发明公开了一种晶体管存储器及其制备方法，所述的晶体管存储器中的有机有源层包括自下而上设置的第一聚合物绝缘层、三碘合铅酸铯膜和第二聚合物绝缘层，其中所述的三碘合铅酸铯膜的厚度为15-20nm。制备过程如下(1)配置溶液：包括配置制备第一聚合物绝缘层的聚合物溶液A、第二聚合物绝缘层的聚合物溶液B和三碘合铅酸铯溶液；(2)制备晶体管：在完成栅电极和栅绝缘层制作的衬底上采用所配置的相对应的溶液依次制作第一聚合物绝缘层、三碘合铅酸铯膜和第二聚合物绝缘层的膜层，之后完成有机半导体层和源漏电极的制作。本发明将三碘合铅酸铯引入到有机场效应晶体管存储器中，丰富了有机存储技术的材料选择。
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公开(公告)号：CN107236068B
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201710515356.2
申请日：2017-06-29
申请人： 南京邮电大学
IPC分类号： C08F126/12 , C08F8/34 , H01L51/05 , H01L51/30
摘要： 本发明涉及一类有机晶体管存储驻极体材料及其制备方法和应用，该方法以PVK(聚乙烯基咔唑)为起始物，通过傅克反应的方式引入各种基团，起到改变材料存储性能的目的。具体反应通式如下：该方法具有以下特点：引入基团种类和数量不同能获得性能各异的材料；工艺简单，原料廉价，反应条件极易控制；具有较好的成膜性，方便后期大规模溶液加工；能明显改善存储材料的存储电荷的能力；因此，傅克后修饰方法是一种快速获得性能优异存储的有效手段。同时，由于本体PVK也是多用途的光电材料，因此本方法也可推广用于制备其他光电器件材料的方法，比如发光二极管、忆阻器、二极管存储材料等。因此本方法在有机光电材料领域具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN105823972B
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201610145044.2
申请日：2016-03-15
申请人： 南京邮电大学
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 本发明涉及种驻极体型有机场效应晶体管存储器最小存储深度的计算方法,属于半导体行业存储器技术领域。所述方法包括:制备具有定厚度的驻极体型有机场效应晶体管存储器;测试并提取所述存储器在不同的编程电压下的存储窗口数据;将所述存储窗口数据进行线性拟合,计算聚合物驻极体型有机场效应晶体管存储器所需最小编程电压;根据所述最小编程电压计算聚合物驻极体中的电场强度;根据有机半导体层材料与聚合物驻极体材料的能级差,计算最小隧穿势垒;根据所述最小隧穿势垒和电场强度,计算得出聚合物驻极体型有机场效应晶体管存储器的最小存储深度。本发明可广泛应用于各类聚合物、可溶小分子驻极体型的有机场效应晶体管存储器。
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公开(公告)号：CN107236068A
公开(公告)日：2017-10-10
申请号：CN201710515356.2
申请日：2017-06-29
申请人： 南京邮电大学
IPC分类号： C08F126/12 , C08F8/34 , H01L51/05 , H01L51/30
摘要： 本发明涉及一类有机晶体管存储驻极体材料及其制备方法和应用，该方法以PVK(聚乙烯基咔唑)为起始物，通过傅克反应的方式引入各种基团，起到改变材料存储性能的目的。具体反应通式如下：该方法具有以下特点：引入基团种类和数量不同能获得性能各异的材料；工艺简单，原料廉价，反应条件极易控制；具有较好的成膜性，方便后期大规模溶液加工；能明显改善存储材料的存储电荷的能力；因此，傅克后修饰方法是一种快速获得性能优异存储的有效手段。同时，由于本体PVK也是多用途的光电材料，因此本方法也可推广用于制备其他光电器件材料的方法，比如发光二极管、忆阻器、二极管存储材料等。因此本方法在有机光电材料领域具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN106981573A
公开(公告)日：2017-07-25
申请号：CN201710166292.X
申请日：2017-03-20
申请人： 南京邮电大学
CPC分类号： Y02E10/549 , H01L51/428 , B82Y30/00 , H01L51/0003 , H01L51/441
摘要： 本发明公开了一种自阻挡层结构的有机场效应晶体管存储器，从上到下依次为源漏电极、有机光敏半导体层、栅绝缘层和衬底，所述有机光敏半导体层和栅绝缘层之间设有混合聚合物自阻挡薄膜层；本发明通过简单的工艺手段改进器件的存储性能，使其存储容量、开关速度和耐受性得到很大提升；并且降低了器件制备成本，便于推广、应用。
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公开(公告)号：CN106876585A
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201710043631.5
申请日：2017-01-19
申请人： 南京邮电大学
CPC分类号： H01L51/05 , H01L51/0001 , H01L51/0026
摘要： 本发明公开了一种通过快速退火提高有机场效应晶体管迁移率的方法，包括以下具体步骤：首先制备具有聚合物修饰层的栅绝缘基片；对所述栅绝缘基片进行快速退火操作；在聚合物修饰层上蒸镀有机半导体层及源漏电极，制备有机场效应晶体管；测试所述晶体管的转移特性曲线，提取对应的迁移率，并计算平均迁移率。本发明进一步提出一种根据上述通过快速退火提高有机场效应晶体管迁移率的方法制备的有机场效应晶体管。本发明还提供了上述有机场效应晶体管的制备方法。本发明通过简单的溶液加工工艺，有效地提高有机场效应晶体管的迁移率，便于推广、应用。
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公开(公告)号：CN106098942A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610622661.7
申请日：2016-07-29
申请人： 南京邮电大学
摘要： 本发明公开了一种纳米柱结构有机场效应晶体管存储器及其制备方法，涉及半导体行业存储器技术和生物薄膜技术领域。所述纳米柱结构有机场效应晶体管存储器包括源漏电极、有机半导体层、第二类栅绝缘层、第一类栅绝缘层、栅电极以及衬底，所述有机半导体层与第二类栅绝缘层之间设有纳米柱薄膜层。本发明的有益效果是，通过简单的旋涂工艺制备形貌可控的纳米柱薄膜且改进了器件的存储性能，使其存储容量、存储速度、存储稳定性及其反复擦写可靠性能得到很大提升，并且降低了器件制备成本，具有很大的商业应用价值。
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