Invention Publication
- Patent Title: 一种单极性卟啉铜忆阻器及其调控方法
-
Application No.: CN202210794790.XApplication Date: 2022-07-07
-
Publication No.: CN115117240APublication Date: 2022-09-27
- Inventor: 庄静文 , 凌海峰 , 明建宇 , 杨威 , 解令海
- Applicant: 南京邮电大学
- Applicant Address: 江苏省南京市鼓楼区新模范马路66号
- Assignee: 南京邮电大学
- Current Assignee: 南京邮电大学
- Current Assignee Address: 江苏省南京市鼓楼区新模范马路66号
- Agency: 南京正联知识产权代理有限公司
- Agent 杭行
- Main IPC: H01L45/00
- IPC: H01L45/00 ; G06N3/06
Abstract:
本发明公开了一种单极性卟啉铜忆阻器及其调控方法，本发明的忆阻器结构从下往上依次为底电极氧化铟锡ITO、有机功能层、无机阻变层非化学计量比氧化物、顶电极金属。所述无机阻变层为采用热原子层沉积薄膜制备所得的非化学计量比氧化物。本发明通过引入热原子层沉积工艺手段，获得了高质量可控的非化学计量比氧化物薄膜，实现了单极性电压调控的同时，为生物功能模拟以及神经形态计算提供了可能。
Information query
IPC分类:
