晶体管、电子装置及晶体管之制造方法

Invention Publication

CN115136323A 晶体管、电子装置及晶体管之制造方法审中-实审

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Patent Title: 晶体管、电子装置及晶体管之制造方法
Application No.: CN202180014587.X

Application Date: 2021-02-17
Publication No.: CN115136323A

Publication Date: 2022-09-30
Inventor: 中积诚 , 岸梅工 , 森诚树 , 藤元高佳
Applicant: 株式会社尼康 , 东丽工程株式会社
Applicant Address: 日本东京都;
Assignee: 株式会社尼康,东丽工程株式会社
Current Assignee: 株式会社尼康,东丽工程株式会社
Current Assignee Address: 日本东京都;
Agency: 北京三友知识产权代理有限公司
Agent 于洁; 褚瑶杨
Priority: 2020-027134 20200220 JP
International Application: PCT/JP2021/005865 2021.02.17
International Announcement: WO2021/166940 JA 2021.08.26
Date entered country: 2022-08-15
Main IPC: H01L29/786
IPC: H01L29/786 ; C23C16/36 ; C23C16/42 ; C23C16/50 ; H01L21/31 ; H01L21/316 ; H01L21/336

Abstract:

本发明之晶体管具有闸极电极、闸极绝缘膜、半导体膜、源极电极及汲极电极，且上述闸极绝缘膜系交替积层SiOx膜与SiCyNz膜而成之积层膜，构成上述积层膜之膜之总数为3层以上18层以下，构成上述积层膜之各膜之膜厚为25nm以上150nm以下。

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Chinese Patent Announcement Global Dossier Espacenet

IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L29/00	专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L31/00至H01L47/00，H01L51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L27/00）
H01L29/66	.按半导体器件的类型区分的
H01L29/68	..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的（H01L29/96优先）
H01L29/76	...单极器件
H01L29/772	....场效应晶体管
H01L29/78	.....由绝缘栅产生场效应的
H01L29/786	......薄膜晶体管