Invention Grant
- Patent Title: 数据传输电路、方法及存储装置
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Application No.: CN202110333856.0Application Date: 2021-03-29
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Publication No.: CN115145466BPublication Date: 2025-02-25
- Inventor: 高恩鹏 , 冀康灵 , 吴增泉
- Applicant: 长鑫存储技术有限公司
- Applicant Address: 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
- Assignee: 长鑫存储技术有限公司
- Current Assignee: 长鑫存储技术有限公司
- Current Assignee Address: 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
- Main IPC: G06F3/06
- IPC: G06F3/06

Abstract:
本申请涉及一种数据传输电路、方法及存储装置,所述数据传输电路包括可控延迟模块及模式寄存器数据处理单元,可控延迟模块用于响应模式寄存器读命令而生成延迟读命令;模式寄存器数据处理单元用于响应所述模式寄存器读命令从模式寄存器读出设置参数,以及还用于响应所述延迟读命令而输出所述设置参数;其中,设置参数的输出起始时刻与可控延迟模块接收所述模式寄存器读命令的时刻之间的时间差为第一预设阈值。本申请能够控制响应模式寄存器读命令读出设置参数的时间,与响应阵列区数据读命令读出阵列区数据的时间匹配,并且能够满足不同类型半导体存储装置的工作参数需求,避免因工作环境影响导致数据传输通路出现控制错误。
Public/Granted literature
- CN115145466A 数据传输电路、方法及存储装置 Public/Granted day:2022-10-04
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