发明公开
- 专利标题: 陶瓷基板及其制备方法、微波器件及其封装外壳结构
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申请号: CN202211082049.7申请日: 2022-09-06
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公开(公告)号: CN115172176A公开(公告)日: 2022-10-11
- 发明人: 钟永辉 , 苗冠男 , 徐佩峰 , 魏四飞 , 方军 , 曾辉 , 史常东
- 申请人: 合肥圣达电子科技实业有限公司
- 申请人地址: 安徽省合肥市高新区香樟大道206号西5幢
- 专利权人: 合肥圣达电子科技实业有限公司
- 当前专利权人: 合肥圣达电子科技实业有限公司
- 当前专利权人地址: 安徽省合肥市高新区香樟大道206号西5幢
- 代理机构: 合肥和瑞知识产权代理事务所
- 代理商 金宇平
- 主分类号: H01L21/48
- IPC分类号: H01L21/48 ; H01L23/15 ; H01L23/26 ; H01L23/498 ; H01L23/552
摘要:
一种陶瓷基板及其制备方法、微波器件及其封装外壳结构。陶瓷基板制备方法包括:采用HTCC工艺制备信号屏蔽通孔被导体材料填充的陶瓷板材,将陶瓷板材研磨至设定厚度作为陶瓷基板,在陶瓷基板上打孔作为信号传输通孔;在陶瓷基板上依次溅射钛层和钯层;然后遮挡预设的吸氢区,未遮挡区域为蚀刻区;在蚀刻区镀铜直至铜导体填充信号传输通孔,然后在镀设的铜层上采用电镀或者溅射的方式依次形成镍层和金层。本发明中在陶瓷基板上预留了仅附着有钛层和钯层的吸氢区,如此可通过钛与氢反应实现自主吸氢,避免氢元素腐蚀元件。本发明避免了烘烤氢及外贴吸氢剂的不良。
公开/授权文献
- CN115172176B 陶瓷基板及其制备方法、微波器件及其封装外壳结构 公开/授权日:2023-09-22
IPC分类: