发明公开
- 专利标题： 一种用于碳基集成电路的静电防护方法
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申请号： CN202210916549.X申请日： 2022-08-01
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公开(公告)号： CN115172337A公开(公告)日： 2022-10-11
- 发明人: 李晓静 , 曾传滨 , 李多力 , 陆芃 , 李博 , 赵发展
- 申请人： 中国科学院微电子研究所
- 申请人地址： 北京市朝阳区北土城西路3号
- 专利权人： 中国科学院微电子研究所
- 当前专利权人： 中国科学院微电子研究所
- 当前专利权人地址： 北京市朝阳区北土城西路3号
- 代理机构： 北京华沛德权律师事务所
- 代理商 房德权
- 主分类号： H01L23/60
- IPC分类号： H01L23/60
摘要：
本申请涉及半导体技术领域，尤其涉及一种用于碳基集成电路的静电防护方法，所述方法包括，准备硅衬底；使用所述硅衬底制备静电防护电路和与所述碳基集成电路互联的窗口；在所述静电防护电路上制备碳纳米管；使用所述碳纳米管制备所述碳基集成电路；将所述静电防护电路与所述碳基集成电路互联。通过本申请提供的方法，实现对碳基集成电路的静电防护，同时能避免传统片上静电防护设计需占据片上面积、浪费片上资源的问题。
IPC分类:
