本发明公开了一种基于InN/AlGaN/GaN异质结的p沟道金属氧化物半导体场效应管及制备方法，主要解决现有p沟道MOSFET器件空穴迁移率和二维空穴气浓度低的问题。其自下而上包括：衬底层(1)、GaN缓冲层(2)、AlGaN势垒层(3)、p型层(5)、SiO2栅介质层(6)，该介质层左右两端分别设有源极(7)和漏极(8)，中间刻蚀有栅凹槽，栅凹槽处设有栅极(9)，其特征在于，AlGaN势垒层与p型层之间增设有未掺杂的InN沟道层(4)，以提升二维空穴气浓度和空穴迁移率，且p型层采用InN材料，以提升空穴迁移率，本发明提升了器件的工作频率和输出功率，可用于GaN基功率集成电路和互补逻辑电路。