发明公开
- 专利标题： 正极活性物质粒子以及正极活性物质粒子的制造方法
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申请号： CN202210232027.8申请日： 2017-10-06
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公开(公告)号： CN115188932A公开(公告)日： 2022-10-14
- 发明人: 川上贵洋 , 落合辉明 , 门马洋平 , 鹤田彩惠 , 高桥正弘 , 三上真弓
- 申请人： 株式会社半导体能源研究所
- 申请人地址： 日本神奈川县厚木市
- 专利权人： 株式会社半导体能源研究所
- 当前专利权人： 株式会社半导体能源研究所
- 当前专利权人地址： 日本神奈川县厚木市
- 代理机构： 中国专利代理(香港)有限公司
- 代理商 姜冰; 李啸
- 优先权： 2016-200835 20161012 JP 2017-052309 20170317 JP 2017-100619 20170522 JP
- 主分类号： H01M4/36
- IPC分类号： H01M4/36 ; H01M4/38 ; H01M4/525
摘要：
本公开的发明名称是“正极活性物质粒子以及正极活性物质粒子的制造方法”。提供一种当被用于锂离子二次电池时抑制因充放电循环导致的容量减少的正极活性物质。通过偏析在正极活性物质的表层部形成覆盖层。正极活性物质包括第一区域及第二区域。第一区域存在于正极活性物质的内部。第二区域存在于正极活性物质的表层部及内部的一部分。第一区域包含锂、过渡金属及氧。第二区域包含镁、氟及氧。
