发明公开
- 专利标题: 一种氮化铝陶瓷基板及其制备方法
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申请号: CN202210614093.1申请日: 2022-05-31
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公开(公告)号: CN115231928A公开(公告)日: 2022-10-25
- 发明人: 杨治华 , 贺云鹏 , 周国相 , 张砚召
- 申请人: 哈尔滨工业大学重庆研究院
- 申请人地址: 重庆市渝北区龙兴镇两江大道618号
- 专利权人: 哈尔滨工业大学重庆研究院
- 当前专利权人: 哈尔滨工业大学重庆研究院
- 当前专利权人地址: 重庆市渝北区龙兴镇两江大道618号
- 代理机构: 北京三聚阳光知识产权代理有限公司
- 代理商 周淑歌
- 主分类号: C04B35/581
- IPC分类号: C04B35/581 ; C04B35/622 ; C04B35/63 ; C04B35/645
摘要:
本发明提供一种氮化铝陶瓷基板,其由无机粉体烧结获得,无机粉体包括主相材料和烧结助剂,主相材料为氮化铝粉体,其粒径分布按体积百分比包括:0.05‑0.2μm 16.26‑18.93%、0.2‑0.5μm 17.10‑18.21%、0.5‑1μm17.94‑17.96%、1‑2μm 22.55‑23.84%、2‑3.5μm 22.37‑24.86%。上述氮化铝陶瓷基板的制备方法包括如下步骤:将主相材料和烧结助剂球磨获得流延浆料;将流延浆料成型、排胶,在0.1‑0.3MPa的保护气压力下以1760‑1800℃保温烧结4‑6h。本发明通过主相材料和烧结助剂的配合提高了氮化铝陶瓷基板的热导率。
IPC分类: