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    一种陶瓷粉体改性方法、陶瓷浆料及应用
    3.
    发明公开
    一种陶瓷粉体改性方法、陶瓷浆料及应用 审中-实审

    公开(公告)号：CN117447212A

    公开(公告)日：2024-01-26

    申请号：CN202311355482.8

    申请日：2023-10-18

    申请人： 哈尔滨工业大学重庆研究院 ,  哈尔滨工业大学

    发明人： 杨治华 ,  张砚召 ,  周国相 ,  贺云鹏 ,  叶文峰 ,  贾德昌 ,  周玉

    IPC分类号： C04B35/628 ,  C04B35/10 ,  C04B35/622 ,  C04B35/632 ,  B33Y70/10 ,  B33Y80/00 ,  B33Y50/00

    摘要： 本发明属于光固化打印技术领域，具体涉及一种陶瓷粉体改性方法、陶瓷浆料及应用。本发明通过对陶瓷粉体进行表面功能化修饰，改善粉体折射率，进一步提高了浆料的固化深度，在光固化辅助直写打印成型陶瓷劈刀坯体时，可以满足陶瓷劈刀坯体壁厚的固化。使用功能性修饰的陶瓷粉体制备的陶瓷浆料能够降低陶瓷劈刀表面粗糙度，使挤出成形的陶瓷劈刀表面粗糙度Ra降低至0.15μm以下(目前使用光固化3D打印制备陶瓷坯体表面的波动范围约为5μm)，实现了陶瓷坯体表面均匀平整，解决了直写成形的陶瓷劈刀表面精度难以提高的问题，从而避免陶瓷劈刀的表面粗糙度值过大而导致焊嘴面沾污，延长了劈刀的使用寿命，以及减少金属焊线磨损。

    一种陶瓷粉体的改性方法、微波介质陶瓷浆料及其制备方法和应用
    4.
    发明公开
    一种陶瓷粉体的改性方法、微波介质陶瓷浆料及其制备方法和应用 审中-实审

    公开(公告)号：CN117362049A

    公开(公告)日：2024-01-09

    申请号：CN202311256558.1

    申请日：2023-09-26

    申请人： 哈尔滨工业大学重庆研究院 ,  哈尔滨工业大学

    发明人： 杨治华 ,  张砚召 ,  周国相 ,  贺云鹏 ,  贾德昌 ,  周玉

    IPC分类号： C04B35/626 ,  C04B35/465 ,  C04B35/622 ,  B33Y70/10

    摘要： 本发明属于光固化打印技术领域，具体涉及一种陶瓷粉体的改性方法、微波介质陶瓷浆料及其制备方法和应用。本发明通过对陶瓷粉体进行表面功能化修饰，硅氧烷基团可以接枝在陶瓷粉体表面，接枝在陶瓷粉体表面裸露出丙烯酸酯基团，使得陶瓷粉体具有光敏特性，该光敏基团可以与陶瓷浆料中使用的光敏树脂中的丙烯酸酯基团进行聚合反应以进而提高陶瓷浆料的固化性能，可以大大降低陶瓷粉体折射率，在零误固化宽度下，提高浆料的增宽固化深度Db，同时，提高光固化打印时的固化层厚，使得层间界面的数量减少，层间界面上的孔隙缺陷数量减少，致密度和品质因数得以提高。浆料较高固化深度还有助于提高打印效率，促进光固化3D打印射频器件的工业化生产。

    一种氮化铝陶瓷基板及其制备方法
    6.
    发明公开
    一种氮化铝陶瓷基板及其制备方法 审中-实审

    公开(公告)号：CN115231928A

    公开(公告)日：2022-10-25

    申请号：CN202210614093.1

    申请日：2022-05-31

    申请人： 哈尔滨工业大学重庆研究院

    发明人： 杨治华 ,  贺云鹏 ,  周国相 ,  张砚召

    IPC分类号： C04B35/581 ,  C04B35/622 ,  C04B35/63 ,  C04B35/645

    摘要： 本发明提供一种氮化铝陶瓷基板，其由无机粉体烧结获得，无机粉体包括主相材料和烧结助剂，主相材料为氮化铝粉体，其粒径分布按体积百分比包括：0.05‑0.2μm 16.26‑18.93％、0.2‑0.5μm 17.10‑18.21％、0.5‑1μm17.94‑17.96％、1‑2μm 22.55‑23.84％、2‑3.5μm 22.37‑24.86％。上述氮化铝陶瓷基板的制备方法包括如下步骤：将主相材料和烧结助剂球磨获得流延浆料；将流延浆料成型、排胶，在0.1‑0.3MPa的保护气压力下以1760‑1800℃保温烧结4‑6h。本发明通过主相材料和烧结助剂的配合提高了氮化铝陶瓷基板的热导率。

    一种氮化硅陶瓷基板及其制备方法和应用
    9.
    发明公开
    一种氮化硅陶瓷基板及其制备方法和应用 审中-实审

    公开(公告)号：CN117185825A

    公开(公告)日：2023-12-08

    申请号：CN202311071130.X

    申请日：2023-08-23

    申请人： 哈尔滨工业大学重庆研究院 ,  哈尔滨工业大学

    发明人： 杨治华 ,  贺云鹏 ,  周国相 ,  张砚召

    IPC分类号： C04B35/80 ,  C04B35/584 ,  C04B35/622 ,  C04B35/638 ,  C04B35/64 ,  H01L23/29

    摘要： 本发明属于氮化硅陶瓷材料技术领域，具体涉及一种氮化硅陶瓷基板及其制备方法和应用。本发明通过无机粉体中各原料的配合以及用量的调整，提供了一种高热导率、高强度、高韧性、色泽均一的氮化硅陶瓷基板，以α‑Si3N4为主相材料，掺杂具有固定长径比的β‑Si3N4纤维为第一副相材料，单晶纳米金刚石为第二副相材料，并添加烧结助剂xRE2O3‑(1‑x)MgAl2O4，复合着色剂aFe2O3‑bCr2O3‑cEr2O3‑dWO3，采用织构化成型技术和气压烧结工艺，制备出了高性能、高可靠性和稳定性的氮化硅陶瓷基板，有助于推动实现氮化硅陶瓷基板的产业化。