本申请公开一种半导体工艺腔室的进气装置、半导体工艺设备及半导体加工工艺，属于半导体技术领域。进气装置包括用于通入工艺气体的第一进气管、用于通入保护气体的第二进气管、混气组件和导流件，混气组件设有第一混气腔和第二混气腔，第一混气腔的腔壁设有第一进气孔和第一射流孔，第一进气管通过第一进气孔与第一混气腔连通，第二混气腔的腔壁设有第二进气孔和第二射流孔，第二进气管通过第二进气孔与第二混气腔连通；导流件设于混气组件背向第一进气管和第二进气管的一侧，导流件内设有第一导流腔和第二导流腔，第一导流腔和第二导流腔均沿导流件的延伸方向延伸，且二者相邻设置，第一导流腔与第一射流孔连通，第二导流腔与第二射流孔连通。