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公开(公告)号：CN117005030A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202310769270.8
申请日：2023-06-27
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC分类号： C30B29/36 , H01L21/02 , C23C16/455 , C30B25/14
摘要： 本发明提供一种半导体加工设备，其第一工艺腔室的进气口在第二方向上的宽度小于共用进气座体的混气腔在第二方向上的宽度，第二工艺腔室的进气口在第二方向上的宽度等于共用进气座体的混气腔在第二方向上的宽度，半导体加工设备具有第一安装组合状态和第二安装组合状态；在第一安装组合状态时，共用进气座体沿垂直于第二方向的第一方向依次与第一匀流件和第一工艺腔室连通，第一匀流件连接于共用进气座体与第一工艺腔室之间；在第二安装组合状态时，共用进气座体沿第一方向依次与第二匀流件和第二工艺腔室连通，第二匀流件连接于共用进气座体与第二工艺腔室之间。本方案可以兼容不同尺寸的晶圆。
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公开(公告)号：CN115020290A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202210617452.9
申请日：2022-06-01
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
摘要： 本申请公开一种半导体工艺设备及其工艺腔室和托盘的检测方法，工艺腔室包括工艺腔体、托盘、第一加热体、转轴组件以及红外测温器，其中：第一加热体包括第一加热板；托盘可转动地设于第一加热板的顶面上；转轴组件包括转轴和温度标记件，转轴穿设于第一加热板、且与第一加热板转动配合，转轴的第一端与托盘相连，使转轴能够随托盘转动，转轴的第二端延伸至凸出第一加热板的底面，温度标记件设置于转轴的第二端，且能够随转轴转动；红外测温器用于检测温度标记件的温度，温度标记件用于旋转至预设的温度检测位置时被红外测温器检测，以周期性地获得温度标记件的温度。上述方案能够同时检测托盘的温度和转速，且简化了设备的结构布局。
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公开(公告)号：CN118704087A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202310308575.9
申请日：2023-03-27
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
摘要： 本申请公开了一种半导体工艺设备及其气动阀控制方法，属于半导体工艺技术。该气动阀控制方法包括以下步骤：获取当前工艺步骤中需要同时执行完同一气动阀动作指令的多个气动阀，并得到每个气动阀对应气动阀动作指令的响应时长；根据多个气动阀的响应时长中的最长响应时长，计算每个气动阀的指令下发延时值；根据每个气动阀的指令下发延时值，按时间先后向每个气动阀发出相应的气动阀动作指令，以控制多个气动阀同时执行完同一气动阀动作指令。本技术方案，其可很好地实现多个气动阀同时开启或同时关闭，确保工艺气源能同步进入工艺腔室，以在工艺腔室中得到充分反应，进而大大提升工艺气源的利用率的同时，提高整个工艺过程的工艺质量。
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公开(公告)号：CN118547262A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202310181320.0
申请日：2023-02-27
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/46
摘要： 本申请公开了一种反应腔室，涉及半导体装备领域。一种反应腔室，应用于半导体工艺设备，所述反应腔室包括：沿第一方向相对设置的第一加热体和第二加热体；所述第一加热体与所述第二加热体之间具有用于容纳晶圆的反应腔体，所述反应腔体沿第二方向的两侧分别设有进气端和尾气端；所述第一加热体包括沿所述第二方向延伸的管状的加热壁和位于所述加热壁内的中空腔体，以所述中空腔体面向所述反应腔体一侧的所述加热壁为第一壁，所述第一壁的邻近所述进气端的区域在所述第一方向上的厚度，大于所述第一壁的邻近所述尾气端的区域在所述第一方向上的厚度。本申请能够解决反应腔进气端温度高于尾气端温度而导致晶圆的外延层厚度均匀性较差等问题。
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公开(公告)号：CN112736013B
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202011510772.1
申请日：2020-12-18
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC分类号： H01L21/687 , C23C16/458
摘要： 本发明公开了一种承载装置及工艺腔室，其中承载装置用于半导体工艺腔室，以承载待加工工件，该承载装置包括：承载主体，承载主体的上表面设有至少一个用于放置待加工工件的片槽，片槽的底壁的纵向切面为弧形，片槽的直径大于待加工工件的直径；至少三个挡块，设置于片槽的边缘，挡块与放置于片槽内的待加工工件的外周接触，用于限制待加工工件在片槽内沿径向移动。本发明通过在片槽的内部边缘设置至少三个挡块，挡块与放置于片槽内的待加工工件的外周接触，且能够固定待加工工件，起到防止待加工工件滑动的作用，改善待加工工件旋转运动中的稳定性，获得更高背面质量的外延片。
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公开(公告)号：CN115020290B
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN202210617452.9
申请日：2022-06-01
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
摘要： 本申请公开一种半导体工艺设备及其工艺腔室和托盘的检测方法，工艺腔室包括工艺腔体、托盘、第一加热体、转轴组件以及红外测温器，其中：第一加热体包括第一加热板；托盘可转动地设于第一加热板的顶面上；转轴组件包括转轴和温度标记件，转轴穿设于第一加热板、且与第一加热板转动配合，转轴的第一端与托盘相连，使转轴能够随托盘转动，转轴的第二端延伸至凸出第一加热板的底面，温度标记件设置于转轴的第二端，且能够随转轴转动；红外测温器用于检测温度标记件的温度，温度标记件用于旋转至预设的温度检测位置时被红外测温器检测，以周期性地获得温度标记件的温度。上述方案能够同时检测托盘的温度和转速，且简化了设备的结构布局。
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公开(公告)号：CN115404543A
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202211060377.7
申请日：2022-08-31
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
摘要： 本发明提供一种硅外延生长设备的工艺腔室及外延生长设备，包括：腔体以及设置在腔体中的基座和预热环，其中，腔体的侧壁上沿水平方向相对设置有进气口和出气口；预热环环绕在基座与腔体的侧壁之间，且是可升降的，以能够使预热环的上表面在进行外延工艺时位于第一高度位置，或者在进行刻蚀工艺时位于第二高度位置，预热环的上表面在位于第一高度位置时，不高于进气口，且不低于基座的下表面；预热环的上表面在位于第二高度位置时，低于基座的下表面。本发明提供的预热环结构确保了下腔室的刻蚀效率，有效地避免了下腔室发生沉积的情况。
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公开(公告)号：CN113707579A
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN202111015141.7
申请日：2021-08-31
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
摘要： 本申请公开一种半导体工艺设备及其控制方法，所述半导体工艺设备包括工艺腔室、第一加热组件、第一传感器、第一控制模块和第二加热组件，所述工艺腔室包括腔体和承载座，所述承载座设置于所述腔体内，用于承载晶圆，所述第一传感器用于检测所述晶圆的曲翘度；所述第一加热组件和所述第二加热组件沿轴向分别设置于所述腔体的两侧，所述第二加热组件用于从所述承载座的第二侧对所述晶圆加热，所述第一控制模块根据所述曲翘度控制所述第一加热组件朝向所述承载座的第一侧向所述晶圆进行补偿加热，所述第一侧与所述第二侧相背分布。上述方案可以解决晶圆由于第一侧和第二侧温差较大，而导致晶圆在外延生长时存在缺陷的问题。
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公开(公告)号：CN112736013A
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN202011510772.1
申请日：2020-12-18
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC分类号： H01L21/687 , C23C16/458
摘要： 本发明公开了一种承载装置及工艺腔室，其中承载装置用于半导体工艺腔室，以承载待加工工件，该承载装置包括：承载主体，承载主体的上表面设有至少一个用于放置待加工工件的片槽，片槽的底壁的纵向切面为弧形，片槽的直径大于待加工工件的直径；至少三个挡块，设置于片槽的边缘，挡块与放置于片槽内的待加工工件的外周接触，用于限制待加工工件在片槽内沿径向移动。本发明通过在片槽的内部边缘设置至少三个挡块，挡块与放置于片槽内的待加工工件的外周接触，且能够固定待加工工件，起到防止待加工工件滑动的作用，改善待加工工件旋转运动中的稳定性，获得更高背面质量的外延片。
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公开(公告)号：CN113097106B
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202110325453.1
申请日：2021-03-26
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC分类号： H01L21/67
摘要： 本申请公开了一种半导体腔室，包括：腔体、进气部和匀流部，进气部通过匀流部与腔体连通，匀流部能够使工艺气体减速通过匀流部，以使工艺气体能够在匀流部内混流，匀流部具有出气端，腔体具有进气端，出气端与进气端连接，匀流部的宽度与腔体的宽度相对应，出气端的宽度与进气端的宽度相对应。通过设置匀流部能够使高速的工艺气体充分混流，使得够工艺气体在进入到腔体中时能够保持浓度均衡，从而使得工艺气体与腔体中的待加工件具有更好的反应效果。
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