本申请实施例公开了一种MRAM存储器的刻蚀装置，包括：离子源、中和器、载台，其中：中和器设置在所述离子源的出射口，所述载台设置在所述离子源出射的一侧，用于接收所述离子源出射的等离子体；所述载台的入射面端面之上包括：压环、至少一个电极，所述压环和所述至少一个电极均设置在所述载台的边缘，所述至少一个电极埋入所述压环内部或者所述压环外围；所述至少一个电极通过电线与射频发生器连接。通过在IBE刻蚀腔内调节载台角度，能够在同一腔室完成MRAM存储单元的刻蚀和侧壁清洗，便于进行多次切换。通过在载台边缘处埋入至少一个电极，并对至少一个电极分别施加功率控制，从而分区调节载台上的等离子体分布，提高刻蚀均匀性。