Invention Publication
- Patent Title: LDMOS器件、LDMOS器件制造方法及芯片
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Application No.: CN202211205447.3Application Date: 2022-09-30
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Publication No.: CN115274857APublication Date: 2022-11-01
- Inventor: 余山 , 赵东艳 , 陈燕宁 , 付振 , 刘芳 , 王帅鹏 , 王凯 , 吴波 , 邓永峰 , 刘倩倩 , 郁文 , 张同
- Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司
- Applicant Address: 北京市昌平区双营西路79号院中科云谷园11号楼一层;
- Assignee: 北京芯可鉴科技有限公司,北京智芯微电子科技有限公司
- Current Assignee: 北京芯可鉴科技有限公司,北京智芯微电子科技有限公司
- Current Assignee Address: 北京市昌平区双营西路79号院中科云谷园11号楼一层;
- Agency: 北京润平知识产权代理有限公司
- Agent 李红
- Main IPC: H01L29/78
- IPC: H01L29/78 ; H01L29/06 ; H01L29/08 ; H01L21/336
Abstract:
本发明提供一种LDMOS器件、LDMOS器件制造方法及芯片，属于芯片领域。该LDMOS器件包括：半导体衬底以及形成在半导体衬底上的源极结构、栅极结构和漏极结构；所述半导体衬底内形成有漂移区和体区，所述源极结构与体区相接，所述漏极结构与所述漂移区相接，所述栅极结构形成在所述源极结构与所述漏极结构之间；所述漏极结构包括漏极掺杂区和漏极金属，所述漏极掺杂区形成在所述漂移区内且距离半导体衬底上表面第一预设距离，所述漏极金属与所述漏极掺杂区相连；所述漏极掺杂区上方还形成有空气腔，所述空气腔环绕在所述漏极金属的四周。空气腔内填充空气介质，空气介质围绕漏极金属，降低漏端的电场，提高击穿电压。
Public/Granted literature
- CN115274857B LDMOS器件、LDMOS器件制造方法及芯片 Public/Granted day:2023-01-24
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IPC分类:
