发明授权
- 专利标题： LDMOS晶体管及其制造方法
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申请号： CN202211205804.6申请日： 2022-09-30
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公开(公告)号： CN115274859B公开(公告)日： 2023-01-20
- 发明人: 余山 , 赵东艳 , 陈燕宁 , 付振 , 刘芳 , 王帅鹏 , 王凯 , 吴波 , 邓永峰 , 刘倩倩 , 郁文 , 张同
- 申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司
- 申请人地址： 北京市昌平区双营西路79号院中科云谷园11号楼一层;
- 专利权人： 北京芯可鉴科技有限公司,北京智芯微电子科技有限公司
- 当前专利权人： 北京芯可鉴科技有限公司,北京智芯微电子科技有限公司
- 当前专利权人地址： 北京市昌平区双营西路79号院中科云谷园11号楼一层;
- 代理机构： 北京润平知识产权代理有限公司
- 代理商 李红
- 主分类号： H01L29/78
- IPC分类号： H01L29/78 ; H01L29/06 ; H01L29/40 ; H01L21/336
摘要：
本发明涉及半导体领域，提供一种LDMOS晶体管及其制造方法。所述LDMOS晶体管包括衬底、P型体区、N型漂移区、N型高压阱区、位于P型体区的源极、位于N型漂移区的漏极、栅极以及浅槽隔离区，所述N型漂移区设置有P型掺杂区，所述P型掺杂区包覆浅槽隔离区的下缘边角且与漏极相接，所述P型掺杂区与N型漂移区形成PN结，以分担漏极与N型漂移区之间的电场；所述浅槽隔离区的上表面设置有多晶硅场板结构；所述多晶硅场板结构、所述浅槽隔离区与所述P型掺杂区构成RESURF结构，以降低P型掺杂区与N型漂移区之间的电场。本发明可以降低漏端在沟道方向的电场强度，提高器件的导通击穿电压，同时降低热载流子效应。
公开/授权文献
- CN115274859A LDMOS晶体管及其制造方法 公开/授权日：2022-11-01
IPC分类:
