一种具有插入层的LED外延片，包括衬底，以及在衬底表面依次层叠设置的N型半导体层、多量子阱层、插入层和P型半导体层；所述的插入层包括在多量子阱层表面依次生长的高温uGaN层和超晶格Mg掺杂层，所述高温uGaN层生长在多量子阱层表面，所述超晶格Mg掺杂层生长在高温uGaN层表面；所述的超晶格Mg掺杂层为交替层叠的MgGaN层和MgN层组成的超晶格结构。本发明通过高温多量子阱层、低温多量子阱层和插入层，该插入层是由高温生长uGaN和超晶格MgGaN与MgN组成，能够有效改善结晶质量，同时还可提高空穴浓度，增加电子空穴复合率，从而提升LED光。