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公开(公告)号：CN115911199B
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202211419087.7
申请日：2022-11-14
申请人： 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司
摘要： 本发明涉及半导体器件技术领域，尤其是涉及一种发光二极管外延结构及发光二极管。发光二极管外延结构，包括：衬底，以及顺次设置于所述衬底上的N型半导体层、有源层和P型半导体层；有源层包括交替层叠设置的量子阱层和量子垒层，至少一个所述量子垒层为复合结构层；复合结构层包括一个或多个复合结构子层；复合结构子层包括层叠设置的未掺杂的氮化镓层、掺杂硼的氮化镓层和P型掺杂的氮化铝镓层。本发明的有源层中的量子垒层使用GaN/B‑GaN/P‑AlGaN超晶格方式，可以抑制电子溢流，并减小量子垒层与电子阻挡层之间的晶格失配度；同时，可以有效提升空穴的注入质量，进一步改善电子空穴的辐射复合效率，提升LED的发光效率。
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公开(公告)号：CN115986023B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202211503468.3
申请日：2022-11-29
申请人： 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司
摘要： 本发明涉及发光二极管制造领域，公开了一种发光二极管的外延片，包括衬底，以及依次位于其上的AlN缓冲层、U型GaN层、N型GaN层、第一多量子阱层、第二多量子阱层、第三多量子阱层、电子阻挡层、P型GaN层和P型接触层，在第一和第二多量子阱层之间，和/或第二和第三多量子阱层之间，和/或第二多量子阱层内部还设有AlxInyGa（1‑x‑y）N层，1≥x＞0，1＞y≥0。本发明在第一和第二多量子阱层之间，和/或第二和第三多量子阱层之间，和/或第二多量子阱层内部插入数层禁带宽度较大的ALN层增加电子减速效果，降低部分电子扩散到P型发生非辐射复合，同时增加V型凹坑侧壁发光比例，从而提高整体发光辐射效率。
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公开(公告)号：CN115986014B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202211440073.3
申请日：2022-11-17
申请人： 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司
摘要： 本发明涉及半导体发光二极管技术领域，公开了一种设有连接层的外延片及包含该外延片的发光二极管，包括从下至上依次设置的衬底、缓冲层、N型半导体层、多量子阱层、连接层、低温P型GaN层、电子阻挡层及高温P型GaN层，其中，连接层包括位于多量子阱层上的第一连接层，以及第一连接层上的第二连接层，第一连接层为未掺杂GaN层，第二连接层为AlN/GaN超晶格结构。本发明的连接层由GaN与AlN/GaN超晶格结构组成，可以在提升连接层的生长质量的同时提高连接层的势垒高度，改善了电子溢流，进而提升多量子阱层的发光效率。
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公开(公告)号：CN115966642B
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202211715903.9
申请日：2022-12-29
申请人： 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司
摘要： 本申请提供了一种高压发光二极管芯片，包括衬底，以及设置在衬底表面的至少两个发光单元，每个发光单元均包括N型半导体层、多量子阱层和P型半导体层；N电极层与其中一发光单元的N型半导体层电性连接；P电极层与其中另一发光单元的P型半导体层电性连接；连接电极包括电性连接P型半导体层的P侧连接部、电性连接N型半导体层的N侧连接部、以及连接P侧连接部和N侧连接部的中间连接部；其中，至少一连接电极呈连续的弯曲型结构。本申请通过设置连续的弯曲型结构的连接电极，使得N电极层和P电极层能够达到首尾相连，进而使得高压发光二极管芯片中的电流单向传导，从而减少电流损失，提高高压发光二极管芯片的发光效率。
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公开(公告)号：CN115000269B
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202210641669.3
申请日：2022-06-07
申请人： 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司
摘要： 本发明提供了一种发光二极管及发光二极管封装件，其中，该发光二极管包括：衬底，以及设置在衬底上的发光结构层，发光结构层顺次包括N型层、有源层和P型层；N型层包括未被P型层和所述有源层覆盖的暴露区域，暴露区包括若干个分散的N台阶；反射电极，包括分散设置于所述P型层的上表面的复数个子反射电极；第一绝缘层，覆盖所述发光结构层并包括露出所述N台阶的第一开口和露出所述子反射电极的第二开口；第一互连电极，通过所述第一开口与所述N型层电性连接；第二互连电极，通过所述第二开口与所述反射电极电性连接，所述第一互连电极与所述第二互连电极绝缘设置；所述子反射电极的数量大于所述N台阶的数量。可以提高LED的出光效率。
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公开(公告)号：CN116014050B
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202211737373.8
申请日：2022-12-30
申请人： 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司
IPC分类号： H01L33/46
摘要： 本申请提供了一种发光元件，衬底具有第一表面和第二表面；外延层位于衬底的第一表面上并依次包括N型半导体层、发光层和P型半导体层，反射结构包括设置在衬底的第二表面上，和/或P型半导体层上的反射膜组；反射膜组至少包括第一绝缘反射层和第二绝缘反射层，第一绝缘反射层对第一波长范围的光比对第二波长范围的光具有更高的反射率，第二绝缘反射层对第二波长范围的光比对第一波长范围的光具有更高的反射率，第二波长范围中的波长大于第一波长范围中的波长；第二绝缘反射层的总厚度大于第一绝缘反射层的总厚度，反射结构对波长范围在400nm～900nm的光的反射率大于等于85％。本申请能够减少膜层的吸收损耗，达到提高外量子效率的效果。
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公开(公告)号：CN115312643B
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202210938635.0
申请日：2022-08-05
申请人： 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司
摘要： 一种具有插入层的LED外延片，包括衬底，以及在衬底表面依次层叠设置的N型半导体层、多量子阱层、插入层和P型半导体层；所述的插入层包括在多量子阱层表面依次生长的高温uGaN层和超晶格Mg掺杂层，所述高温uGaN层生长在多量子阱层表面，所述超晶格Mg掺杂层生长在高温uGaN层表面；所述的超晶格Mg掺杂层为交替层叠的MgGaN层和MgN层组成的超晶格结构。本发明通过高温多量子阱层、低温多量子阱层和插入层，该插入层是由高温生长uGaN和超晶格MgGaN与MgN组成，能够有效改善结晶质量，同时还可提高空穴浓度，增加电子空穴复合率，从而提升LED光。
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公开(公告)号：CN116646449B
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202310649515.3
申请日：2023-06-02
申请人： 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司
发明人： 陈锴
摘要： 本发明公开了一种LED封装结构，包括分别与LED芯片的两个电极电连接的第一焊盘结构和第二焊盘结构，第一焊盘结构与第二焊盘结构之间相互绝缘，所述第一焊盘结构和第二焊盘结构的尺寸分别电性连接LED芯片的第一极性电极和第二极性，第一焊盘结构与第二焊盘结构的底面积之和是LED芯片封装底面积的0.3~1倍。该方案通过在小尺寸的芯片电极下生长更大面积焊盘结构的方式，扩大芯片与基板焊盘之间的接触面积，增加放置容错率，从而可以在不引入导电板的情况下实现CSP的直接使用，提高贴片良率。
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公开(公告)号：CN114613891B
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202210294419.7
申请日：2022-03-24
申请人： 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司
摘要： 本发明公开了一种具有复合电子阻挡层的发光二极管及其制备方法，其电子阻挡层包括AlN单层和设置在AlN单层上的p型AlN/AlGaN/AlInGaN超晶格结构层，p型AlN/AlGaN/AlInGaN超晶格结构层为AlN子层、AlGaN子层、AlInGaN子层依次交替生长的结构层。本申请增加了复合电子阻挡层结构，通过AlN单层减小了电子阻挡层与多量子阱层及p型GaN层之间的晶格失配作用，并降低多量子阱层中的电子泄露；通过超晶格结构层并掺入Mg增强了电子阻挡效应，提高了空穴向多量子阱的注入率，增强了多量子阱中电子与空穴的复合效率，提高发光效率。
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公开(公告)号：CN115360273B
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202210712155.2
申请日：2022-06-22
申请人： 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司
摘要： 本发明公开了一种氮化物半导体发光元件，包括衬底，以及在该衬底上依次层叠设置的缓冲层、三维生长层、U型半导体层、N型半导体层、有源层及P型半导体层；所述三维生长层包括两个子层堆叠的多个复合生长结构，每个复合结构包含第一子层和第二子层，第一子层材料为GaN，优选的为U型GaN；所述第二子层为InAlN，其组分配比范围为InxAl1‑xN，其中0.05＜x＜0.5，优选的组分配比为In0.17Al0.83N。本发明通过生长新型的三维生长层，为成核小岛纵向三维生长形成大岛，最终大岛合并，为后续生长平整高长晶质量低缺陷密度的GaN层铺垫，能够改善减少现有技术中外延片结构中的缺陷位错，改善长晶质量，提高ESD抗静电能力和发光效率。
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