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公开(公告)号：CN115663083B
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202211017295.4
申请日：2022-08-23
申请人： 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司
摘要： 本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种发光二极管及其制备方法。所述发光二极管中的P型半导体层包括依次层叠设置在所述多量子阱发光层表面的第一电子阻挡层、第一空穴注入层、第二电子阻挡层和第二空穴注入层；所述第一电子阻挡层的能级低于所述第二电子阻挡层；所述第一电子阻挡层包含多个子层，其中至少一子层为P型掺杂氮化物层。本发明通过设置特定的P型半导体层结构，使第一电子阻挡层中含有P型杂质，并设置其能级低于第二电子阻挡层的能级，以便提升空穴的注入效率，从而改善LED器件的发光效率。
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公开(公告)号：CN114242863B
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202111496682.6
申请日：2021-12-09
申请人： 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司
摘要： 本发明涉及半导体器件领域，具体涉及一种电极及其制备方法和LED芯片。一种电极，包括依次层叠设置的反射层、电极缓冲层、Cu包裹层和覆盖层；所反射层设置于外延结构层上；所述电极缓冲层覆盖所述反射层，所述电极缓冲层包括第一顶部区域、第一侧壁区域，以及与所述外延结构层接触形成的第一延伸区域；所述Cu包裹层覆盖所述电极缓冲层，所述Cu包裹层包括第二顶部区域、第二侧壁区域，以及与所述外延结构层接触形成的第二延伸区域；其中，所述第二延伸区域完全包覆所述第一延伸区域。该电极可保证LED芯片的发光效率和可靠性，并显著降低电极制备的成本。
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公开(公告)号：CN114242862B
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202111577074.8
申请日：2021-12-22
申请人： 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司
摘要： 本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种LED芯片及其制备方法。所述LED芯片的发光结构中，可以在第一半导体和/或第二半导体成表面掺杂一定浓度的第一杂质，进而可有效降低第一电极和/或第二电极的接触电阻，提高电极基层与第一半导体层和/或第二半导体层的欧姆接触，尤其是高反射率电极材料(例如Al、Ag和Cu)与半导体层的欧姆接触。
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公开(公告)号：CN113964247B
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202111214759.6
申请日：2021-10-19
申请人： 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司
摘要： 本发明涉及半导体技术领域，尤其是涉及一种发光二极管芯片及其制作方法。发光二极管芯片，包括：基板，以及依次设置于所述基板上的N型半导体层、有源层、P型半导体层、电流阻挡层、透明导电层和P型电极；所述电流阻挡层包括至少两个间隔分布的子层；所述P型电极设置于所述透明导电层上并电连接于所述P型半导体层，其中，至少一个所述子层的正上方未设置有P型电极。本发明在P型半导体层上与P型电极对应处设置子层外，同时在P型半导体层表面其余位置分布设置子层，可协助透明导电层电流的进一步横向扩展，实现低电流密度和高光效，在不提升电压的情况下，增加了光的反射从而达到提升亮度的作用。
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公开(公告)号：CN117410409A
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202311390860.6
申请日：2022-02-17
申请人： 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司
摘要： 本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种发光二极管。该发光二极管包括衬底、缓冲层、N型半导体层、应力释放层、多量子阱发光层和P型半导体层；应力释放层包括在N型半导体层上至少一个周期层叠设置的第一子层和第二子层；第一子层包括掺杂第一杂质的GaN层、未掺杂的GaN层和InGaN层中的至少两种；第二子层为AlGaN层。本发明通过设置AlGaN层，能提高应力释放层的禁带宽度，提高势垒，极大降低在大电流密度下空穴从V型坑底部穿透到应力释放层的概率；高势垒的存在使得电子进入多量子阱发光层时，电流分布更加均匀；且更高的势垒还增加了对位错屏蔽的效果，降低非辐射复合概率，提高光效。
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公开(公告)号：CN117317086A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311394361.4
申请日：2022-10-24
申请人： 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司
摘要： 本发明涉及半导体器件技术领域，尤其是涉及一种发光二极管。发光二极管，包括发光二极管外延结构、电流阻挡层、电流扩展层、N电极、P电极和绝缘层；所述发光二极管外延结构包括衬底以及依次设置于所述衬底上的N型半导体层、中间层、多量子阱层和P型半导体层；所述中间层包括：第一扩展层，位于所述N型半导体层上方；第二扩展层，位于所述第一扩展层上方；第三扩展层，位于所述第二扩展层和所述多量子阱层之间；所述第二扩展层包括至少一个插入层，所述插入层中的n型杂质的平均掺杂浓度小于所述第二扩展层中的n型杂质的平均掺杂浓度。本发明通过在多量子阱层前设置优化的中间层，使电流分布更加均匀，能够缓解电流拥堵现象，提高发光效率。
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公开(公告)号：CN115351721B
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202210722476.0
申请日：2022-06-24
申请人： 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司
IPC分类号： B24D18/00
摘要： 本发明公开了一种抛光机抛光布自动粘贴装置及方法，包括粘贴机构包括粘贴机构框架，粘贴机构框架的一端固定粘贴支架固定杆，另一端安装粘贴支架调节杆；压合机构包括压合机构框架以及驱动两个分别滑动安装在压合机构框架的左右两侧的轴承座在前后方向运动的驱动单元B，压辊的两端分别与两个轴承座之间通过轴承转动连接；压合机构位于粘贴机构上方；驱动粘贴机构上下运动的压合丝杆组件；驱动压合机构上下运动的粘贴丝杆组件；压合丝杆组件、粘贴丝杆组件安装在小车上。替代了现有技术中手动粘贴装置，通过使用装置结构，起到了具备自动粘贴、压合、裁剪的功能，进而起到了降低工作负荷、提高工作效率以及降低风险的作用。
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公开(公告)号：CN115347093B
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202210951603.4
申请日：2022-08-09
申请人： 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司
摘要： 一种LED外延结构生长方法，在衬底表面依次层叠生长的第一缓冲层、N型半导体层、第二缓冲层、高温量子阱层、低温多量子发光层、P型半导体层，所述低温多量子发光层的生长方法为：循环生长n个多量子阱发光层；n个多量子阱发光层包含n对多量子阱层和多量子垒层，且n个多量子阱层和多量子垒层的温度递减生长。本发明在生长低温多量子发光层时，设置依次生长多量子阱层的每个阱温依次递减0.5～1度，该阱温条件下生长的多量子阱层，会使靠前的阱能带高，靠后的能带低，从而后面的能隙较小，使得电子空穴更易复合；并且电子和空穴集中于最后3‑8个阱复合，可有效改善结晶质量，降低半波宽，提高芯片的发光纯度。
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公开(公告)号：CN115020564B
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202210630620.8
申请日：2022-06-06
申请人： 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司
摘要： 本发明涉及半导体领域，公开了一种复合图形化衬底及其制备方法和外延结构，在衬底本体的表面沉积材料层；在材料层上涂布正性光刻胶，然后在衬底本体上制备出具有周期性排布的光刻窗口；使用第一步干法刻蚀工艺刻蚀掉光刻窗口内的材料层并进一步刻蚀掉部分衬底本体，形成间隔沟槽；使用第二步干法刻蚀工艺刻蚀掉被正性光刻胶覆盖的部分材料层，形成凸起结构，得到复合图形化衬底。本方法制备的衬底中的凸起结构在后续生长外延结构时，能够在N型层与各凸起结构之间形成较大的空气隙，在该空气隙的位置，会使得LED发出的光在该区域内发生更多的折射和反射，能够增加LED出光的反射，提升出光效率，提升亮度。
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公开(公告)号：CN114512580B
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202210146631.9
申请日：2022-02-17
申请人： 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司
摘要： 本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种发光二极管。该发光二极管包括衬底、缓冲层、N型半导体层、应力释放层、多量子阱发光层和P型半导体层；应力释放层包括在N型半导体层上至少一个周期层叠设置的第一子层和第二子层；第一子层包括掺杂第一杂质的GaN层、未掺杂的GaN层和InGaN层中的至少两种；第二子层为AlGaN层。本发明通过设置AlGaN层，能提高应力释放层的禁带宽度，提高势垒，极大降低在大电流密度下空穴从V型坑底部穿透到应力释放层的概率；高势垒的存在使得电子进入多量子阱发光层时，电流分布更加均匀；且更高的势垒还增加了对位错屏蔽的效果，降低非辐射复合概率，提高光效。
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