本发明提供了一种复合绝缘膜的制作方法，所属光通信技术领域，复合绝缘膜的制作方法包括：在衬底上沉积SiNx层；在SiNx层上沉积SiO2钝化层。解决了现有技术中存在的PECVD沉积的SiO2一般都具有较大的压应力，这使得在后工序的划裂片工艺中，会因薄膜应力过大，导致部分SiO2脱落等问题。本发明通过在衬底与SiO2钝化层中间沉积一层SiNx来降低膜系整体的应力，使新膜系在有张应力的SiNx后表现出来的应力更小。采用该方法制作的膜系作为刻蚀掩膜，在图形上精度更高，在刻蚀的过程中压应力更小，不仅可以提供高刻蚀精度，还能够起到很好的保护作用，能够吸收在刻蚀过程中高速离子团的轰击产生的能量，刻蚀后不生成裂纹，同时可以增加金丝键合的可靠性，提高了膜系的良率。