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公开(公告)号：CN117117635B
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202311075687.0
申请日：2023-08-24
申请人： 武汉敏芯半导体股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种半导体光放大器，在厚度方向上包括：有源层波导，两侧为n‑p‑n掺杂波导，包括依次设置的第一波导层、量子阱层和第二波导层；无源层波导，位于所述有源层波导和所述n‑p‑n掺杂波导下方。制作方法与一般掩埋异质结结构一致，工艺简单。本发明提供的一种半导体光放大器，通过N型层增加无源波导层，将量子阱有源层中光场向下牵引，减小了光场与P型层的重叠，减小了光场传输损耗，同时降低了光场限制因子，使本发明所提供的半导体光放大器能够实现较大增益同时，提高饱和输出光功率。
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公开(公告)号：CN117199993B
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202311206771.1
申请日：2023-09-18
申请人： 武汉敏芯半导体股份有限公司
摘要： 本申请提供了一种窄线宽半导体激光器及制作方法，属于半导体激光器技术领域，用于解决窄线宽激光器价格较高，且机械稳定性较差的问题。本申请的窄线宽半导体激光器包括衬底及由右向左依次设置在衬底上DFB增益区、无源渐变波导区和共振反射区。DFB增益区的光信号通过无源渐变波导区注入共振反射区，由共振反射区压缩线宽后再注入DFB增益区，经多次循环后，DFB能够输出窄线宽信号，具有制备难度低，成本低，良率高，结构稳定以及尺寸小的优点。
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公开(公告)号：CN116774467B
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202310572056.3
申请日：2023-05-19
申请人： 武汉敏芯半导体股份有限公司
IPC分类号： G02F1/01
摘要： 本申请实施例公开了一种薄膜组结构、光电器件和光电器件的调节方法，薄膜组结构包括了多个薄膜层和连接于多个薄膜层中至少一个薄膜层的电极，通过电极的设置可以为多个薄膜层中的至少一个薄膜层施加偏电压，通过调整施加在某层薄膜上的偏置电压就可以调控该层光学薄膜的折射率。使得一个薄膜组结构适用于不同的使用场景，使得薄膜组结构具备通用性，通过一个薄膜结构可以满足不同的需求，可以降低产品之间的差异性，利于降低产品的生产成本，同时对于装配有该薄膜组结构的光电器件，光电器件的性能参数可调节，适用范围更广，更加容易达到最优的工作状态。
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公开(公告)号：CN116885563B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202310602701.1
申请日：2023-05-25
申请人： 武汉敏芯半导体股份有限公司
摘要： 本发明提供了一种激光器芯片保护膜结构及其制作方法，所属光通信技术领域，包括：第一二氧化硅层、金属层和第二二氧化硅层；通过在二氧化硅膜内部设置一层金属层，形成复合膜结构，金属层能够很好的释放和缓解二氧化硅膜的压应力，起到缓冲作用，从而能低整个膜系的应力，以减少划裂片工艺因二氧化硅应力过大导致二氧化硅薄膜破损的情况发生，提高产品良率。通过在膜系上刻蚀出第一接触口和第二接触口，使电极层能够与第一二氧化硅层和第二二氧化硅层之间的金属层相连接，使电极层的电势和金属层的电势相同，进而使芯片的寄生电容的两电极间距减小，使得寄生电容增大，以使芯片能承受更大的冲击电压，提升了芯片的耐静电放电能力。
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公开(公告)号：CN116994948A
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202311065869.X
申请日：2023-08-22
申请人： 武汉敏芯半导体股份有限公司
IPC分类号： H01L21/288 , H01L21/027 , H01L21/285
摘要： 本申请实施例公开了一种芯片电极制备方法和半导体器件，芯片电极制备方法先在晶圆上形成电极光刻图形，而后形成金属膜，而后不剥离的金属膜之上涂上光刻胶，形成电镀光刻图形，之后再通过为金属膜上电进行电镀，可以在金属膜之上电镀金属层，进而增加电极的厚度。通过本申请实施例提供的控制方法，以金属膜为基底媒介，将金属膜和上电通道作为电流通道，对电极区域进行电镀，从而将金层加厚，基于此可以一次为晶圆之上的多个芯片制备满足厚度要求的电极，尤其是在PD/APD光接收芯片(包括所有晶圆上的独立芯片，即芯片和芯片之间无金属相连)的电极制备过程中，替代传统技术的蒸发方案和化镀方案，降低了工艺成本，同时保障了电极的可靠性。
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公开(公告)号：CN116676571A
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202310500071.7
申请日：2023-04-26
申请人： 武汉敏芯半导体股份有限公司
摘要： 本申请实施例公开了一种电极制作方法、电极和半导体器件，在晶圆表面沉积金属层，金属层通常由若干种金属分层沉积于晶圆表面，通常选用钛、铂、金、锗、镍等能够保护半导体材料和易导电的金属，在本申请中，金属层包括金属钛、铂、金层，在晶圆表面的电极区域设置光刻胶层，所述光刻胶层设置在所述金属层的上层，以所述光刻胶层为掩膜，蚀刻所述晶圆表面的非电极区域的金属层；除去光刻胶层；对比传统剥离法制备出的金属电极，通过本方法制备成的电极其边缘更加规整，没有翻金和残金，传统剥离法在形成电极的剥离过程中容易导致电极脱落，而本方法将光刻膜设置在金属层上方作为掩膜，可完全避免此现象。
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公开(公告)号：CN116316069A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202211103499.X
申请日：2022-09-09
申请人： 武汉敏芯半导体股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种高速激光器及其制作方法，该激光器包括衬底以及位于衬底上方的有源层，有源层包括下限制层、量子阱层和上限制层；有源层两侧分别为P型InP层和N型InP层，共同形成横向p‑i‑n结；P型InP层上方为P型InGaAs层，P型InGaAs层上方为P型电极层，N型InP层上方为N型电极层，横向注入电流；有源层上方为光栅层，表面光栅周期设计为激射波长与增益谱峰值波长具有负的失谐，失谐量为10‑20nm。本发明通过采用横向电流注入结构，降低了激光器寄生电容，利于高速调制应用；以及激射波长与增益谱峰值波长采用负的失谐设计提高微分增益从而提高带宽。
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公开(公告)号：CN115425517A
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202210994217.3
申请日：2022-08-18
申请人： 武汉敏芯半导体股份有限公司
IPC分类号： H01S5/12
摘要： 本发明公开了一种提高波长分布均匀性的激光器制作方法，该方法包括：在晶圆形成之前，对于同一个波长通道，采用两种或两种以上的光栅周期设计；然后利用该晶圆制作激光器。进一步，根据该波长通道的中心波长和波导等效折射率确定光栅周期，同时该波导等效折射率对应了确定的激光器脊宽。本发明通过在晶圆形成之前，对于同一个波长通道，采用两种或两种以上的光栅周期设计，然后利用该晶圆去制作激光器，可提高每个波长通道分BIN波长产出的均匀性，降低生产复杂度。
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公开(公告)号：CN115377794A
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202211070956.X
申请日：2022-09-02
申请人： 武汉敏芯半导体股份有限公司
摘要： 本发明提供了一种BH激光器及其制作方法，所属激光器制造技术领域，BH激光器包括：第一外延结构、第二外延结构、第三外延结构、P面电极层和N面电极层；在外延结构上增加了AlGaInAs SCH层代替现有的非对称波导结构，减小远场发散角；通过采用InGaAsP作为有源层、SCH波导结构，降低限制因子，提高耦合功率。掩埋采用MESA结构，MESA通过反ICP及湿法非选择腐蚀制作MESA，再通过PNP异质结掩埋工艺，实现电流和光场限制，限制了电流的横向扩散，输出光斑呈现近圆形，提高了芯片的光束质量，提了高光输出功率和器件耦合效率，降低封装成本。通过将芯片两端表面InGaAs层腐蚀掉，减少光场限制，减小远场发散角，提高聚焦效果，从而达到提高光束质量和输出功率的技术效果。
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公开(公告)号：CN115377248A
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202211114315.X
申请日：2022-09-14
申请人： 武汉敏芯半导体股份有限公司
摘要： 本发明提供了一种复合绝缘膜的制作方法，所属光通信技术领域，复合绝缘膜的制作方法包括：在衬底上沉积SiNx层；在SiNx层上沉积SiO2钝化层。解决了现有技术中存在的PECVD沉积的SiO2一般都具有较大的压应力，这使得在后工序的划裂片工艺中，会因薄膜应力过大，导致部分SiO2脱落等问题。本发明通过在衬底与SiO2钝化层中间沉积一层SiNx来降低膜系整体的应力，使新膜系在有张应力的SiNx后表现出来的应力更小。采用该方法制作的膜系作为刻蚀掩膜，在图形上精度更高，在刻蚀的过程中压应力更小，不仅可以提供高刻蚀精度，还能够起到很好的保护作用，能够吸收在刻蚀过程中高速离子团的轰击产生的能量，刻蚀后不生成裂纹，同时可以增加金丝键合的可靠性，提高了膜系的良率。
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