发明公开
- 专利标题: 一种声学器件封装结构及方法
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申请号: CN202210286564.0申请日: 2022-03-22
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公开(公告)号: CN115378397A公开(公告)日: 2022-11-22
- 发明人: 丁志鹏 , 任沁 , 孙博文 , 陈邦涛 , 萧莉燕 , 赵伟良 , 顾超 , 刘炎 , 林炳辉
- 申请人: 武汉敏声新技术有限公司
- 申请人地址: 湖北省武汉市东湖新技术开发区花城大道9号武汉软件新城三期D7栋4层01号
- 专利权人: 武汉敏声新技术有限公司
- 当前专利权人: 武汉敏声新技术有限公司
- 当前专利权人地址: 湖北省武汉市东湖新技术开发区花城大道9号武汉软件新城三期D7栋4层01号
- 代理机构: 北京超凡宏宇专利代理事务所
- 代理商 宋家会
- 主分类号: H03H9/10
- IPC分类号: H03H9/10 ; H03H9/02
摘要:
本申请提供一种声学器件封装结构及方法,涉及半导体技术领域,包括:衬底以及位于衬底上的压电堆叠结构,在压电堆叠结构上设置有第一有机材料层,在第一有机材料层上设置第二有机材料层,第一有机材料层包括第一支撑部和第二支撑部,第二支撑部形成第一声反射结构,由此,在声波传输至第一声反射结构时,能够被反射回有效区域,从而降低声波的损耗,提高声学器件的性能。第一支撑部配合第二有机材料层形成第二声反射结构,由此,在部分声波未被第一声反射结构反射回且传输至第二声反射结构处时,能够被反射回有效区域,从而进一步的降低声波的损耗,提高声学器件的性能。
公开/授权文献
- CN115378397B 一种声学器件封装结构及方法 公开/授权日:2023-05-23