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公开(公告)号：CN118264219A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202410284883.7
申请日：2024-03-12
申请人： 武汉敏声新技术有限公司
摘要： 本申请公开了一种滤波器及其制备方法，涉及通信设备技术领域，本申请的滤波器的制备方法，包括在衬底上形成多个连接的谐振单元并在多个谐振单元上形成质量负载层；向下以第一预设厚度刻蚀部分谐振单元上的质量负载层，以将谐振单元划分为刻蚀第一预设厚度的第一类谐振单元和未刻蚀第一预设厚度的第二类谐振单元；向下以第二预设厚度刻蚀部分第一类谐振单元和部分第二类谐振单元，以将第一类谐振单元划分为第三类谐振单元和第四类谐振单元，将第二类谐振单元划分为第五类谐振单元和第六类谐振单元；图案化上电极层形成上电极并引出下电极以使形成滤波器。本申请提供的滤波器及其制备方法，能够减小压电层的过刻量，从而提高谐振器的性能。
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公开(公告)号：CN113810008A
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202111104991.4
申请日：2021-09-22
申请人： 武汉敏声新技术有限公司
摘要： 本申请提供一种薄膜体声波滤波器的封装结构及其封装方法，涉及薄膜体声波滤波器技术领域，包括薄膜体声波滤波器和盖帽晶圆，薄膜体声波滤波器包括顶电极，顶电极上设置有金属键合图案，盖帽晶圆通过金属键合图案和薄膜体声波滤波器键合，以封装薄膜体声波滤波器的工作区。采用直接在薄膜体声波滤波器上封装金属键合图案的工艺，通过金属键合图案使盖帽晶圆封装薄膜体声波滤波器，相较于现有技术中在盖帽晶圆上制作通孔并布线的封装方式，本申请的薄膜体声波滤波器的封装结构，大大降低了工艺难度，有利于提高薄膜体声波滤波器的封装结构的成品率，并且还有效控制了工艺成本。
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公开(公告)号：CN115378397B
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202210286564.0
申请日：2022-03-22
申请人： 武汉敏声新技术有限公司
摘要： 本申请提供一种声学器件封装结构及方法，涉及半导体技术领域，包括：衬底以及位于衬底上的压电堆叠结构，在压电堆叠结构上设置有第一有机材料层，在第一有机材料层上设置第二有机材料层，第一有机材料层包括第一支撑部和第二支撑部，第二支撑部形成第一声反射结构，由此，在声波传输至第一声反射结构时，能够被反射回有效区域，从而降低声波的损耗，提高声学器件的性能。第一支撑部配合第二有机材料层形成第二声反射结构，由此，在部分声波未被第一声反射结构反射回且传输至第二声反射结构处时，能够被反射回有效区域，从而进一步的降低声波的损耗，提高声学器件的性能。
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公开(公告)号：CN115378397A
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202210286564.0
申请日：2022-03-22
申请人： 武汉敏声新技术有限公司
摘要： 本申请提供一种声学器件封装结构及方法，涉及半导体技术领域，包括：衬底以及位于衬底上的压电堆叠结构，在压电堆叠结构上设置有第一有机材料层，在第一有机材料层上设置第二有机材料层，第一有机材料层包括第一支撑部和第二支撑部，第二支撑部形成第一声反射结构，由此，在声波传输至第一声反射结构时，能够被反射回有效区域，从而降低声波的损耗，提高声学器件的性能。第一支撑部配合第二有机材料层形成第二声反射结构，由此，在部分声波未被第一声反射结构反射回且传输至第二声反射结构处时，能够被反射回有效区域，从而进一步的降低声波的损耗，提高声学器件的性能。
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公开(公告)号：CN113810009B
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202111104999.0
申请日：2021-09-22
申请人： 武汉敏声新技术有限公司
摘要： 本申请提供一种薄膜体声波谐振器及其制备方法、薄膜体声波滤波器，涉及谐振器技术领域，包括基底，基底上设有凸出于基底表面的两个相对设置的保护墙，两个保护墙之间形成空腔，基底上、保护墙远离空腔的一侧还设有绝缘层；还包括换能器堆叠结构，换能器堆叠结构覆盖绝缘层、空腔和保护墙，换能器堆叠结构沿堆叠方向的两侧分别和空腔、外界连通。通过保护墙设置空腔，通过空腔和外界连通，通过外界释放向空腔区域的腐蚀物质而形成空腔，实现空腔释放加工的精准控制，流程更简单，控制成本，缩短工艺周期；保护墙面积占比很小，CMP要求较低，有利于提高良品率；薄膜体声波谐振器结构建立在绝缘层上，有利于减少寄生电容电阻，提高器件综合性能。
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公开(公告)号：CN113810008B
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN202111104991.4
申请日：2021-09-22
申请人： 武汉敏声新技术有限公司
摘要： 本申请提供一种薄膜体声波滤波器的封装结构及其封装方法，涉及薄膜体声波滤波器技术领域，包括薄膜体声波滤波器和盖帽晶圆，薄膜体声波滤波器包括顶电极，顶电极上设置有金属键合图案，盖帽晶圆通过金属键合图案和薄膜体声波滤波器键合，以封装薄膜体声波滤波器的工作区。采用直接在薄膜体声波滤波器上封装金属键合图案的工艺，通过金属键合图案使盖帽晶圆封装薄膜体声波滤波器，相较于现有技术中在盖帽晶圆上制作通孔并布线的封装方式，本申请的薄膜体声波滤波器的封装结构，大大降低了工艺难度，有利于提高薄膜体声波滤波器的封装结构的成品率，并且还有效控制了工艺成本。
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公开(公告)号：CN113810009A
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202111104999.0
申请日：2021-09-22
申请人： 武汉敏声新技术有限公司
摘要： 本申请提供一种薄膜体声波谐振器及其制备方法、薄膜体声波滤波器，涉及谐振器技术领域，包括基底，基底上设有凸出于基底表面的两个相对设置的保护墙，两个保护墙之间形成空腔，基底上、保护墙远离空腔的一侧还设有绝缘层；还包括换能器堆叠结构，换能器堆叠结构覆盖绝缘层、空腔和保护墙，换能器堆叠结构沿堆叠方向的两侧分别和空腔、外界连通。通过保护墙设置空腔，通过空腔和外界连通，通过外界释放向空腔区域的腐蚀物质而形成空腔，实现空腔释放加工的精准控制，流程更简单，控制成本，缩短工艺周期；保护墙面积占比很小，CMP要求较低，有利于提高良品率；薄膜体声波谐振器结构建立在绝缘层上，有利于减少寄生电容电阻，提高器件综合性能。
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公开(公告)号：CN221929810U
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202420431825.8
申请日：2024-03-06
申请人： 武汉敏声新技术有限公司
摘要： 本实用新型实施例提供的一种薄膜体声波谐振器，包括基底和依次层叠在基底上的底电极、压电层和顶电极；底电极的表面设置有第一凹凸阵列和第二凹凸阵列，第一凹凸阵列处于谐振区域内，第二凹凸阵列处于非谐振区域且环绕谐振区域排布。上述技术方案，通过在谐振区域的底电极表面设置第一凹凸阵列可以将能量聚集在谐振区域；在非谐振区域设置第二凹凸阵列可以将谐振区域泄露的能量反射回谐振区域；同时设置第一凹凸结构的形状不同和/或第二凹凸结构的形状不同，通过不同形状的凹凸结构的搭配可以进一步提高聚集、反射效果，进一步减少能量的横向泄露，从而提高谐振器的品质因子，抑制横向纹波，提高器件的性能。
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公开(公告)号：CN216531264U
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202123113547.7
申请日：2021-12-10
申请人： 武汉敏声新技术有限公司
摘要： 一种薄膜体声波谐振器及滤波器，涉及谐振器技术领域。该薄膜体声波谐振器包括具有空腔的衬底、位于衬底上的底电极、位于底电极上的压电层、位于压电层上的顶电极，底电极通过贯穿设置于压电层内的引出金属引出至压电层靠近顶电极的一侧；衬底包括本体、位于本体上的环形保护墙以及围设于环形保护墙外周的绝缘层，其中，位于环形保护墙内部的区域形成空腔。该薄膜体声波谐振器由于设置了环形保护墙，因此能够避免绝缘层被过度腐蚀且能够便于对衬底表面进行抛光，进而提高器件的性能和良率。
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