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公开(公告)号：CN117081535A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202311030140.9
申请日：2023-08-14
申请人： 武汉敏声新技术有限公司
摘要： 本发明公开了一种声波谐振器及滤波器。声波谐振器包括：衬底，所述衬底上设有声反射结构，以及所述衬底上依次层叠设有第一电极、压电层和第二电极，所述第一电极、所述压电层和所述第二电极在层叠方向上形成谐振有效区域；其中，所述第一电极包括至少两个第一分区，且至少两个所述第一分区的厚度不同，相邻所述第一分区的连接处形成第一阶梯，以使所述压电层远离所述衬底的一侧表面形成第二阶梯；所述第二电极包括至少两个第二分区，且至少两个所述第二分区的厚度不同，相邻所述第二分区的连接处形成第三阶梯，以及位于所述第二阶梯上的所述第二分区形成第四阶梯。本发明实施例提升了声波谐振器及滤波器的品质因子，从而提升了其性能。
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公开(公告)号：CN116961613A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202310710126.7
申请日：2023-06-14
申请人： 武汉敏声新技术有限公司
摘要： 本申请提供一种体声波谐振器及其制备方法、滤波器。该体声波谐振器包括：衬底，所述衬底包括依次层叠设置的第一半导体层、绝缘层及第二半导体层；所述第二半导体层的表面刻蚀形成凹槽，所述凹槽贯穿所述第二半导体层；所述凹槽内形成有保护件，所述凹槽的竖向截面具有平滑轮廓以消除在所述保护件形成过程中出现的空洞缺陷。该体声波谐振器可以形成高质量的种子层、底电极、压电层以及顶电极，有效提高了体声波谐振器的器件性能。
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公开(公告)号：CN115996031B
公开(公告)日：2023-06-13
申请号：CN202310297640.2
申请日：2023-03-24
申请人： 武汉敏声新技术有限公司
摘要： 本申请提供了一种谐振器的制作方法以及谐振器，该方法包括：首先，提供层叠的第一衬底以及预备压电层；然后，对预备压电层进行应力检测，得到预备压电层的第一应力值，根据预备压电层的第一应力值的分布情况，对预备压电层进行多次分割，形成多个压电层；之后，在压电层的远离第一衬底的表面上形成多个间隔设置的第一金属层，在各第一金属层的远离压电层的表面上形成层叠的牺牲层以及第一键合层；之后，提供层叠的第二衬底以及第二键合层，并且将第一键合层与第二键合层进行键合；最后，去除第一衬底，在压电层的远离第一金属层的表面上形成多个间隔设置的第二金属层，形成刻蚀孔，并通过刻蚀孔去除牺牲层，以得到空腔。保证了谐振器的性能较好。
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公开(公告)号：CN116318018B
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202310165706.2
申请日：2023-02-24
申请人： 武汉敏声新技术有限公司
摘要： 一种体声波谐振器及其制备方法，涉及谐振器技术领域。该体声波谐振器包括衬底，衬底设有空腔，空腔具有相对的侧壁和底面；衬底上设有谐振结构，谐振结构与空腔相对设置；谐振结构包括层叠设置的下电极、压电层和上电极；下电极在底面上的投影面积小于底面面积；压电层靠近衬底的一侧设有环绕下电极外周，并与空腔相通的环形结构，通过环形结构阻挡谐振结构产生的横向声波泄露。该体声波谐振器能够减少声波泄漏，提高器件品质。
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公开(公告)号：CN117579026B
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202311681348.7
申请日：2023-12-06
申请人： 武汉敏声新技术有限公司
摘要： 本发明实施例公开了一种薄膜体声波谐振器及其制备方法，该薄膜体声波谐振器包括衬底结构、挡墙结构、种子层结构和堆叠谐振结构；衬底结构包括第一衬底层、埋氧层和第二衬底层，并且第二衬底层包括空腔和第二衬底本体；挡墙结构位于第二衬底本体靠近空腔的一侧；种子层结构包括单晶氮化铝种子层，单晶氮化铝种子层包括第一牺牲通道，第一牺牲通道贯穿单晶氮化铝种子层；沿种子层结构厚度方向，第一牺牲通道的投影与空腔的投影存在交叠；堆叠谐振结构包括第二牺牲通道，第二牺牲通道贯穿堆叠谐振结构；沿种子层结构厚度方向，第一牺牲通道的投影与第二牺牲通道的投影重合。通过设置单晶氮化铝种子层可以保证薄膜体声波谐振器的整体性能更优。
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公开(公告)号：CN117375565B
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202311528165.1
申请日：2023-11-14
申请人： 武汉敏声新技术有限公司
IPC分类号： H03H9/02 , H03H3/02 , H10N30/082
摘要： 本发明公开了一种声波滤波器及其制备方法，该声波滤波器包括：SOI衬底；SOI衬底的一侧设置有多个空腔；空腔包括至少一个第一空腔和至少一个第二空腔；位于SOI衬底一侧的堆叠结构；堆叠结构包括至少一个与第一空腔一一对应的第一堆叠结构，以及至少一个与第二空腔一一对应的第二堆叠结构；第一堆叠结构在SOI衬底上的正投影位于第一空腔所在区域内；堆叠结构包括种子层；第一堆叠结构中的种子层的厚度小于第二堆叠结构中的种子层的厚度；其中，第一空腔与第一堆叠结构构成第一谐振器；第二空腔与第二堆叠结构构成第二谐振器。本发明的技术方案，能够在声波滤波器的左侧或者右侧产生第二传输零点，从而改善声波滤波器两侧近带的带外抑制。
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公开(公告)号：CN117439569B
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311763257.8
申请日：2023-12-19
申请人： 武汉敏声新技术有限公司
摘要： 本申请提供一种薄膜体声波谐振器及其制备方法，涉及射频滤波器技术领域，包括：衬底以及依次层叠于所述衬底上的下电极、压电层、电极框架层和上电极，所述衬底和所述下电极之间形成空腔，所述下电极在所述空腔的垂直投影范围内形成增Q结构，所述上电极和所述压电层之间形成第一空气翼和第一空气桥。第一空气翼和第一空气桥能提高谐振器的Q值；而本申请通过在下电极形成增Q结构，改变了下电极的结构，进一步有效提高了谐振器的Q值。
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公开(公告)号：CN117544127A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202311569828.4
申请日：2023-11-21
申请人： 武汉敏声新技术有限公司
摘要： 本发明公开了一种体声波谐振器及其制备方法。其中，该体声波谐振器包括：包括衬底、换能器堆叠结构和保护层，换能器堆叠结构位于衬底一侧；衬底中设置有空腔，空腔贯穿部分衬底；换能器堆叠结构中设置有释放通道，释放通道贯穿换能器堆叠结构且与空腔连通；保护层设置在换能器堆叠结构远离衬底一侧的表面，保护层包括防水材料。本发明的技术方案，本发明的技术方案，在体声波谐振器中设置具有防水材料的保护层，并使得保护层设置在换能器堆叠结构的表面，隔离激励电极、压电层与空气中的水汽，保护换能器堆叠结构免于受水汽的影响，提高了体声波谐振器的可靠性。
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公开(公告)号：CN117439569A
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202311763257.8
申请日：2023-12-19
申请人： 武汉敏声新技术有限公司
摘要： 本申请提供一种薄膜体声波谐振器及其制备方法，涉及射频滤波器技术领域，包括：衬底以及依次层叠于所述衬底上的下电极、压电层、电极框架层和上电极，所述衬底和所述下电极之间形成空腔，所述下电极在所述空腔的垂直投影范围内形成增Q结构，所述上电极和所述压电层之间形成第一空气翼和第一空气桥。第一空气翼和第一空气桥能提高谐振器的Q值；而本申请通过在下电极形成增Q结构，改变了下电极的结构，进一步有效提高了谐振器的Q值。
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公开(公告)号：CN113810008A
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202111104991.4
申请日：2021-09-22
申请人： 武汉敏声新技术有限公司
摘要： 本申请提供一种薄膜体声波滤波器的封装结构及其封装方法，涉及薄膜体声波滤波器技术领域，包括薄膜体声波滤波器和盖帽晶圆，薄膜体声波滤波器包括顶电极，顶电极上设置有金属键合图案，盖帽晶圆通过金属键合图案和薄膜体声波滤波器键合，以封装薄膜体声波滤波器的工作区。采用直接在薄膜体声波滤波器上封装金属键合图案的工艺，通过金属键合图案使盖帽晶圆封装薄膜体声波滤波器，相较于现有技术中在盖帽晶圆上制作通孔并布线的封装方式，本申请的薄膜体声波滤波器的封装结构，大大降低了工艺难度，有利于提高薄膜体声波滤波器的封装结构的成品率，并且还有效控制了工艺成本。
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