发明公开
- 专利标题： 可改善ESD的PD/APD芯片的P电极结构
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申请号： CN202211080337.9申请日： 2022-09-05
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公开(公告)号： CN115394869A公开(公告)日： 2022-11-25
- 发明人: 王权兵 , 徐之韬 , 赵雪妍 , 蔡阳光 , 易美军
- 申请人： 武汉敏芯半导体股份有限公司
- 申请人地址： 湖北省武汉市东湖新技术开发区滨湖路8号
- 专利权人： 武汉敏芯半导体股份有限公司
- 当前专利权人： 武汉敏芯半导体股份有限公司
- 当前专利权人地址： 湖北省武汉市东湖新技术开发区滨湖路8号
- 代理机构： 湖北武汉永嘉专利代理有限公司
- 代理商 许美红
- 主分类号： H01L31/105
- IPC分类号： H01L31/105 ; H01L31/0224 ; H01L31/0304
摘要：
本发明公开了一种可改善ESD的光探测器芯片P电极结构，其特征在于，P电极为环形的开口结构，与开口相对的环形位置处连接PAD电极。本发明通过P电极结构设计和优化，将P电极设置为环形开口结构，把电流通道一分为二，将P电极环上的电流密度降低二分之一，该举措可以大大降低大电流的冲击，通过有效分流电流的办法可以改善静电释放ESD。
IPC分类:
