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公开(公告)号：CN117791297B
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202311817348.5
申请日：2023-12-26
申请人： 武汉敏芯半导体股份有限公司
摘要： 本申请公开了半导体激光器的电极的制备方法及电极，该方法包括：对第一晶圆进行沉积处理，以使第一晶圆的表面附着第一金属膜，得到第二晶圆；对第二晶圆进行电镀处理，以使第一金属膜上附着第二金属膜，得到第三晶圆，其中，第三晶圆已剥离光刻胶；对第三晶圆依次进行涂光刻胶和光刻处理，以形成第二光刻图形，得到第四晶圆；对第四晶圆进行沉积处理，以使第四晶圆的表面附着第三金属膜，对附着第三金属膜的第四晶圆进行剥离处理，得到半导体激光器的电极。通过电镀方式在第一金属膜外又附着第二金属膜，使得第一金属膜和第二金属膜贴合紧密，相当于加厚了第一金属层，使得金属电极的热容量变大，提高了半导体激光器的电极散热性。
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公开(公告)号：CN117059536B
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311035383.1
申请日：2023-08-16
申请人： 武汉敏芯半导体股份有限公司
IPC分类号： H01L21/673 , H01L21/22
摘要： 本发明公开了一种扩散用石英舟及其扩散方法，属于光电子技术领域，包括扩散舟本体；扩散舟本体包括舟体和设置在舟体底部的弧形部；弧形部向与石英管内壁接触面的方向凸起，用以减少舟体底面与石英管内壁之间的距离。本发明通过舟底的弧形部减少扩散石英舟底面与石英管内壁之间的距离，使扩散石英舟和石英管内壁更加贴合，提高石英管和扩散石英舟之间的热传递效果，提高热传递的效率且传递热量更均匀，同时避免扩散石英舟底部悬空，提高扩散石英舟的稳定性。
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公开(公告)号：CN117059536A
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202311035383.1
申请日：2023-08-16
申请人： 武汉敏芯半导体股份有限公司
IPC分类号： H01L21/673 , H01L21/22
摘要： 本发明公开了一种扩散用石英舟及其扩散方法，属于光电子技术领域，包括扩散舟本体；扩散舟本体包括舟体和设置在舟体底部的弧形部；弧形部向与石英管内壁接触面的方向凸起，用以减少舟体底面与石英管内壁之间的距离。本发明通过舟底的弧形部减少扩散石英舟底面与石英管内壁之间的距离，使扩散石英舟和石英管内壁更加贴合，提高石英管和扩散石英舟之间的热传递效果，提高热传递的效率且传递热量更均匀，同时避免扩散石英舟底部悬空，提高扩散石英舟的稳定性。
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公开(公告)号：CN117004913A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202310766295.2
申请日：2023-06-26
申请人： 武汉敏芯半导体股份有限公司
摘要： 本申请实施例公开了一种半导体激光器端面光学薄膜镀膜方法和半导体激光器，本申请实施例提供的光学薄膜镀膜方法，采用电子回旋共振溅镀机微波离子源对激光器的出光腔面和背光腔面进行清洗，能够有效去除腔面的氧化物残留，避免后续腔面出现杂质，会直接影响道激光芯片的可靠性和光学特性，采用电子回旋共振溅镀机通过射频溅射法对出光腔面覆盖第一三氧化二铝膜，对背光腔面覆盖第二三氧化二铝膜，使用该方法形成的形成的钝化膜该方法镀制温度低，沉积速率高，功率效率高，膜层致密性好，能够提升端面复合膜的稳定性，能够在一定程度上避免因腔面膜缺陷导致的能量局部集中，同时无需建立高温加工环境，便于加工。
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公开(公告)号：CN116804697A
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN202310759847.7
申请日：2023-06-25
申请人： 武汉敏芯半导体股份有限公司
IPC分类号： G01R31/28
摘要： 本发明公开了一种激光器芯片的老化条件获取方法、系统及芯片筛选方法。其中激光器芯片的老化条件获取方法包括：根据不同的设定电流值，对激光器芯片进行分组；对每组激光器芯片进行升温老化试验，获取每个设定电流值下的极限温度；获取每个设定电流值下和极限温度下的加速因子；选取加速因子大于第一预设值的多组激光器芯片，基于其对应的极限温度和试验电流，进行老化试验及HTOL测试，获取失效比例和失效时间节点；将HTOL测试无失效且失效时间节点小于第二预设值的一组激光器芯片，其对应的试验电流和极限温度作为老化条件。该老化条件能有效筛选早期失效产品，以及不会因为应力过大而破坏产品，还能够得到合理的老化时间，提高老化试验的效率。
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公开(公告)号：CN115394869A
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202211080337.9
申请日：2022-09-05
申请人： 武汉敏芯半导体股份有限公司
IPC分类号： H01L31/105 , H01L31/0224 , H01L31/0304
摘要： 本发明公开了一种可改善ESD的光探测器芯片P电极结构，其特征在于，P电极为环形的开口结构，与开口相对的环形位置处连接PAD电极。本发明通过P电极结构设计和优化，将P电极设置为环形开口结构，把电流通道一分为二，将P电极环上的电流密度降低二分之一，该举措可以大大降低大电流的冲击，通过有效分流电流的办法可以改善静电释放ESD。
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公开(公告)号：CN116994948B
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202311065869.X
申请日：2023-08-22
申请人： 武汉敏芯半导体股份有限公司
IPC分类号： H01L21/288 , H01L21/027 , H01L21/285
摘要： 本申请实施例公开了一种芯片电极制备方法和半导体器件，芯片电极制备方法先在晶圆上形成电极光刻图形，而后形成金属膜，而后不剥离的金属膜之上涂上光刻胶，形成电镀光刻图形，之后再通过为金属膜上电进行电镀，可以在金属膜之上电镀金属层，进而增加电极的厚度。通过本申请实施例提供的控制方法，以金属膜为基底媒介，将金属膜和上电通道作为电流通道，对电极区域进行电镀，从而将金层加厚，基于此可以一次为晶圆之上的多个芯片制备满足厚度要求的电极，尤其是在PD/APD光接收芯片(包括所有晶圆上的独立芯片，即芯片和芯片之间无金属相连)的电极制备过程中，替代传统技术的蒸发方案和化镀方案，降低了工艺成本，同时保障了电极的可靠性。
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公开(公告)号：CN116885563A
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202310602701.1
申请日：2023-05-25
申请人： 武汉敏芯半导体股份有限公司
摘要： 本发明提供了一种激光器芯片保护膜结构及其制作方法，所属光通信技术领域，包括：第一二氧化硅层、金属层和第二二氧化硅层；通过在二氧化硅膜内部设置一层金属层，形成复合膜结构，金属层能够很好的释放和缓解二氧化硅膜的压应力，起到缓冲作用，从而能低整个膜系的应力，以减少划裂片工艺因二氧化硅应力过大导致二氧化硅薄膜破损的情况发生，提高产品良率。通过在膜系上刻蚀出第一接触口和第二接触口，使电极层能够与第一二氧化硅层和第二二氧化硅层之间的金属层相连接，使电极层的电势和金属层的电势相同，进而使芯片的寄生电容的两电极间距减小，使得寄生电容增大，以使芯片能承受更大的冲击电压，提升了芯片的耐静电放电能力。
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公开(公告)号：CN115524099B
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202211076815.9
申请日：2022-09-05
申请人： 武汉敏芯半导体股份有限公司
摘要： 本申请公开了一种半导体激光器的测试方法、装置、计算机设备及可读存储介质，涉及光通信技术领域，方法包括：响应于半导体激光器的测试指令，在第一预设温度条件下测试半导体激光器的光谱特性，得到光谱特性数据；根据多个波长的多个第一强度，确定主峰和次峰；获取主峰的第二强度、次峰的第三强度和次峰的位置信息；根据第二强度、第三强度和次峰的位置信息，判断半导体激光器是否满足预设条件，其中，预设条件为半导体激光器在第二预设温度下出现扭折的概率小于预设概率阈值；在半导体激光器满足预设条件的情况下，确定半导体激光器为良品。实现了在生产流程上可以省略低温测试环节，大大节省了生产成本和生产时间，有效提高生产效率。
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公开(公告)号：CN118712270A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202410826545.1
申请日：2024-06-25
申请人： 武汉敏芯半导体股份有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L21/223 , H01L31/08
摘要： 本申请提出一种探测器芯片的杂质扩散方法及探测器芯片，其方法包括：在晶圆表面生长第一扩散阻挡层，第一扩散阻挡层为Si Nx/SiO2复合膜；对第一扩散阻挡层进行光刻后形成扩散窗口；在扩散窗口进行开管掺杂扩散，以形成第一深度扩散区；在第一扩散阻挡层以及扩散窗口表面生长第二扩散阻挡层，第二扩散阻挡层为Si Nx增透膜；对晶圆进行退火处理，以形成第二深度扩散区。本申请提出的方法，能够降低残留在晶圆表面的扩散源对退火炉的污染，提高扩散效果；能够节约杂质扩散源的使用需求量，从而降低生产成本；能够缩短杂质扩散时长，减少整个工艺过程的工艺时长。
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