发明授权
- 专利标题: 一种薄膜体声波谐振器的制备方法
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申请号: CN202211048802.0申请日: 2022-08-30
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公开(公告)号: CN115395911B公开(公告)日: 2023-07-14
- 发明人: 王雅馨 , 林炳辉 , 高超 , 邹杨 , 蔡耀 , 刘炎 , 孙博文 , 孙成亮
- 申请人: 武汉敏声新技术有限公司
- 申请人地址: 湖北省武汉市东湖新技术开发区花城大道9号武汉软件新城三期D7栋4层01号
- 专利权人: 武汉敏声新技术有限公司
- 当前专利权人: 武汉敏声新技术有限公司
- 当前专利权人地址: 湖北省武汉市东湖新技术开发区花城大道9号武汉软件新城三期D7栋4层01号
- 代理机构: 北京超凡宏宇专利代理事务所
- 代理商 王思楠
- 主分类号: H03H3/02
- IPC分类号: H03H3/02
摘要:
本申请公开了一种薄膜体声波谐振器的制备方法,涉及微电子技术领域。该所述方法包括:在衬底上刻蚀凹槽,在所述凹槽内填充牺牲层;在填充有所述牺牲层的所述衬底上沉积底电极层,在所述底电极层上均布刻蚀多个槽孔以形成底电极;在所述底电极上沉积第一压电层并平坦化;在平坦化的所述第一压电层上沉积第二压电层,其中,所述第一压电层和所述第二压电层所采用的压电材料相同;在所述第二压电层上沉积顶电极层,并对所述顶电极层图案化处理以形成顶电极;释放所述牺牲层,以形成所述衬底与所述底电极之间的空腔结构。该方法能够降低生成压电薄膜的应力,并提升压电薄膜的质量。
公开/授权文献
- CN115395911A 一种薄膜体声波谐振器的制备方法 公开/授权日:2022-11-25