发明公开
CN115498042A 半导体装置
审中-实审
- 专利标题： 半导体装置
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申请号： CN202211309403.5申请日： 2016-12-07
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公开(公告)号： CN115498042A公开(公告)日： 2022-12-20
- 发明人: 长尾胜久
- 申请人： 罗姆股份有限公司
- 申请人地址： 日本京都市
- 专利权人： 罗姆股份有限公司
- 当前专利权人： 罗姆股份有限公司
- 当前专利权人地址： 日本京都市
- 代理机构： 中国专利代理(香港)有限公司
- 代理商 闫小龙; 吕传奇
- 优先权： 2015-247727 20151218 JP
- 主分类号： H01L29/78
- IPC分类号： H01L29/78 ; H01L21/336
摘要：
提供一种能够通过抑制从电流感测部向与感测侧表面电极接合的布线材料的热的逸出来提高电流感测部的主电流的电流值的检测精度的SiC半导体装置。提供半导体装置（1），所述半导体装置（1）包含：SiC半导体基板、包含主电流侧单位单元（34）的源极部（27）、包含感测侧单位单元（40）的电流感测部（26）、配置在源极部（27）的上方的源极侧表面电极（5）、以及配置在电源感测部（26）的上方且具有接合有感测侧线的感测侧焊盘（15）的感测侧表面电极（6），感测侧单位单元（40）被配置于避开了感测侧焊盘（15）的正下部的位置。
IPC分类:
