公开(公告)号：CN117043922A

公开(公告)日：2023-11-10

申请号：CN202280022838.3

申请日：2022-02-22

申请人： 罗姆股份有限公司

发明人： 高尾俊郎 ,  长尾胜久 ,  榎田吉朗

IPC分类号： H01L21/66

摘要： 检查用半导体构造包括：半导体板，其具有一侧的第一主面以及另一侧的第二主面；检查区域，其设置于所述第一主面；主面电极，其具有第一硬度，在所述检查区域覆盖所述第一主面；以及保护电极，其具有超过所述第一硬度的第二硬度，在所述检查区域覆盖所述主面电极，在与所述第二主面之间形成经由所述半导体板的电流路径。

公开(公告)号：CN110634825B

公开(公告)日：2023-04-18

申请号：CN201910879948.1

申请日：2014-11-26

申请人： 罗姆股份有限公司

发明人： 长尾胜久 ,  川本典明

IPC分类号： H01L23/482 ,  H01L25/16

摘要： 形成半导体装置（1），所述半导体装置包含：SiC外延层（28）；多个晶体管单元（18），形成于SiC外延层（28），通过规定的控制电压接通/关断控制；栅极电极（19），与在接通时形成沟道的晶体管单元（18）的沟道区域（32）相对；栅极金属（44），为了与外部的电连接而露出到最外层表面，与栅极电极（19）在物理上分离，但是，电连接于栅极电极（19）；以及内置电阻（21），被配置在栅极金属（44）的下方，由将栅极金属（44）和栅极电极（19）电连接的多晶硅构成。

公开(公告)号：CN111463278A

公开(公告)日：2020-07-28

申请号：CN202010090401.6

申请日：2015-05-15

申请人： 罗姆股份有限公司

发明人： 长尾胜久 ,  安部英俊

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/739 ,  H01L29/872 ,  H01L29/06 ,  H01L29/16 ,  H01L29/47

摘要： 本发明的半导体装置，包括：第1导电型的SiC层；选择性地形成在所述SiC层上的电极；以及形成在所述SiC层上、达到设定在所述SiC层的端部的切割区域的绝缘物，所述绝缘物包含配置在所述电极的下方的电极下绝缘膜及以覆盖该电极下绝缘膜的方式配置的有机绝缘层，所述有机绝缘层与所述SiC层相接的区间的距离（A）为40μm以上，所述电极下绝缘膜上的所述电极与所述SiC层的横向的距离（B）为40μm以上。

公开(公告)号：CN106463540A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201580025434.X

申请日：2015-05-15

申请人： 罗姆股份有限公司

发明人： 长尾胜久 ,  安部英俊

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/47 ,  H01L29/739 ,  H01L29/872

摘要： 本发明的半导体装置，包括：第1导电型的SiC层；选择性地形成在所述SiC层上的电极；以及形成在所述SiC层上、达到设定在所述SiC层的端部的切割区域的绝缘物，所述绝缘物包含配置在所述电极的下方的电极下绝缘膜及以覆盖该电极下绝缘膜的方式配置的有机绝缘层，所述有机绝缘层与所述SiC层相接的区间的距离（A）为40μm以上，所述电极下绝缘膜上的所述电极与所述SiC层的横向的距离（B）为40μm以上。

公开(公告)号：CN115498042A

公开(公告)日：2022-12-20

申请号：CN202211309403.5

申请日：2016-12-07

申请人： 罗姆股份有限公司

发明人： 长尾胜久

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

摘要： 提供一种能够通过抑制从电流感测部向与感测侧表面电极接合的布线材料的热的逸出来提高电流感测部的主电流的电流值的检测精度的SiC半导体装置。提供半导体装置（1），所述半导体装置（1）包含：SiC半导体基板、包含主电流侧单位单元（34）的源极部（27）、包含感测侧单位单元（40）的电流感测部（26）、配置在源极部（27）的上方的源极侧表面电极（5）、以及配置在电源感测部（26）的上方且具有接合有感测侧线的感测侧焊盘（15）的感测侧表面电极（6），感测侧单位单元（40）被配置于避开了感测侧焊盘（15）的正下部的位置。

公开(公告)号：CN106415837B

公开(公告)日：2019-10-22

申请号：CN201480065081.1

申请日：2014-11-26

申请人： 罗姆股份有限公司

发明人： 长尾胜久 ,  川本典明

IPC分类号： H01L27/04 ,  H01L21/822 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

摘要： 形成半导体装置1，所述半导体装置包含：SiC外延层28；多个晶体管单元18，形成于SiC外延层28，通过规定的控制电压接通/关断控制；栅极电极19，与在接通时形成沟道的晶体管单元18的沟道区域32相对；栅极金属44，为了与外部的电连接而露出到最外层表面，与栅极电极19在物理上分离，但是，电连接于栅极电极19；以及内置电阻21，被配置在栅极金属44的下方，由将栅极金属44和栅极电极19电连接的多晶硅构成。

公开(公告)号：CN108475676B

公开(公告)日：2022-11-04

申请号：CN201680073975.4

申请日：2016-12-07

申请人： 罗姆股份有限公司

发明人： 长尾胜久

IPC分类号： H01L27/04 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

摘要： 提供一种能够通过抑制从电流感测部向与感测侧表面电极接合的布线材料的热的逸出来提高电流感测部的主电流的电流值的检测精度的SiC半导体装置。提供半导体装置1，所述半导体装置1包含：SiC半导体基板、包含主电流侧单位单元34的源极部27、包含感测侧单位单元40的电流感测部26、配置在源极部27的上方的源极侧表面电极5、以及配置在电源感测部26的上方且具有接合有感测侧线的感测侧焊盘15的感测侧表面电极6，感测侧单位单元40被配置于避开了感测侧焊盘15的正下部的位置。

公开(公告)号：CN106463540B

公开(公告)日：2020-03-03

申请号：CN201580025434.X

申请日：2015-05-15

申请人： 罗姆股份有限公司

发明人： 长尾胜久 ,  安部英俊

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/47 ,  H01L29/739 ,  H01L29/872

摘要： 本发明的半导体装置，包括：第1导电型的SiC层；选择性地形成在所述SiC层上的电极；以及形成在所述SiC层上、达到设定在所述SiC层的端部的切割区域的绝缘物，所述绝缘物包含配置在所述电极的下方的电极下绝缘膜及以覆盖该电极下绝缘膜的方式配置的有机绝缘层，所述有机绝缘层与所述SiC层相接的区间的距离（A）为40μm以上，所述电极下绝缘膜上的所述电极与所述SiC层的横向的距离（B）为40μm以上。

公开(公告)号：CN110634825A

公开(公告)日：2019-12-31

申请号：CN201910879948.1

申请日：2014-11-26

申请人： 罗姆股份有限公司

发明人： 长尾胜久 ,  川本典明

IPC分类号： H01L23/482 ,  H01L25/16

摘要： 形成半导体装置（1），所述半导体装置包含：SiC外延层（28）；多个晶体管单元（18），形成于SiC外延层（28），通过规定的控制电压接通/关断控制；栅极电极（19），与在接通时形成沟道的晶体管单元（18）的沟道区域（32）相对；栅极金属（44），为了与外部的电连接而露出到最外层表面，与栅极电极（19）在物理上分离，但是，电连接于栅极电极（19）；以及内置电阻（21），被配置在栅极金属（44）的下方，由将栅极金属（44）和栅极电极（19）电连接的多晶硅构成。

公开(公告)号：CN111463279B

公开(公告)日：2024-11-05

申请号：CN202010090424.7

申请日：2015-05-15

申请人： 罗姆股份有限公司

发明人： 长尾胜久 ,  安部英俊

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/739 ,  H01L29/872 ,  H01L29/06 ,  H01L29/16 ,  H01L29/47

摘要： 本发明的半导体装置，包括：第1导电型的SiC层；选择性地形成在所述SiC层上的电极；以及形成在所述SiC层上、达到设定在所述SiC层的端部的切割区域的绝缘物，所述绝缘物包含配置在所述电极的下方的电极下绝缘膜及以覆盖该电极下绝缘膜的方式配置的有机绝缘层，所述有机绝缘层与所述SiC层相接的区间的距离（A）为40μm以上，所述电极下绝缘膜上的所述电极与所述SiC层的横向的距离（B）为40μm以上。