发明公开
CN1155158A 多层电路基片及其制造方法
失效 - 权利终止
- 专利标题： 多层电路基片及其制造方法
- 专利标题（英）： Multi-layer circuit substrate and mfg. method thereof
-
申请号： CN96113395.3申请日： 1996-09-12
-
公开(公告)号： CN1155158A公开(公告)日： 1997-07-23
- 发明人: 柳在哲
- 申请人： 三星航空产业株式会社
- 申请人地址： 韩国庆尚南道
- 专利权人： 三星航空产业株式会社
- 当前专利权人： 三星航空产业株式会社
- 当前专利权人地址： 韩国庆尚南道
- 代理机构： 柳沈知识产权律师事务所
- 代理商 杨梧
- 优先权： 29688/95 1995.09.12 KR
- 主分类号： H01L21/00
- IPC分类号： H01L21/00
摘要：
多层电路基片及其制造方法：用光敏绝缘层涂敷基片的上表面，曝光和显影光敏绝缘层以形成具有预定图形和图形间隔的光敏绝缘层，在图形间隔处印导电浆料形成导电层，重复前面步骤，形成由光敏绝缘层和导电层构成的多层，用粘性绝缘层涂敷多层的最上层，通过热压在粘性绝缘层上形成金属薄膜，蚀刻以形成预定图形，并形成导电材料注入其中的通孔，穿通基片、导电层、光敏绝缘层和金属薄膜，将导电层与构图的金属薄膜电连接。
公开/授权文献
- CN1107336C 多层电路基片及其制造方法 公开/授权日：2003-04-30