一种记忆体元件及其形成方法，一次性编程记忆体元件包含基板、第一晶体管、第二晶体管、第一字元线、第二字元线，和位元线。第一晶体管位于基板上，第一晶体管包含第一栅极结构，以及第一源/漏极区和第二源/漏极区，位于第一栅极结构的相对两侧。第二晶体管位于基板上，其中第二晶体管操作于反转模式，第二晶体管包含第二栅极结构，具有比第一栅极结构更多的功函数金属层，以及第三源/漏极区和第四源/漏极区，位于第二栅极结构的相对两侧。第一字元线位于第一晶体管的第一栅极结构上方并与其电性连接。第二字元线位于第二晶体管的第二栅极结构上方并与其电性连接。位元线位于第一晶体管的第一源/漏极区上方并与其电性连接。