本发明涉及一种带有应变超晶格结构的AlGaInP红光半导体激光器件及其制备方法，由下至上依次包括衬底、缓冲层、下过渡层、下限制层、下波导层、(Ala1Ga1‑a1)b1In1‑b1P/(Ala1Ga1‑a1)b2In1‑b2P应变超晶格、第一量子阱、垒层、第二量子阱、上波导层、第一上限制层、腐蚀终止层、第二上限制层、上过渡层和GaAs帽层；本发明AlGaInP渐变波导层生长后，插入应变超晶格结构，提升材料生长质量，抑制界面非辐射复合，从而降低阈值电流，提高老化特性。