公开(公告)号：CN118016770B

公开(公告)日：2024-10-22

申请号：CN202410122154.1

申请日：2024-01-29

申请人： 西安工程大学

发明人： 曹得重 ,  李兴 ,  王赫 ,  郭正全 ,  成鹏飞 ,  闫晓东 ,  孙坤校 ,  王菲斐 ,  骆恬恬 ,  第五淯暄

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L33/10 ,  C30B29/40 ,  C30B25/02 ,  C25F3/12 ,  C30B25/18 ,  C30B29/68

摘要： 本发明公开了具有中孔GaN DBR的中孔GaN基LED的制备方法，采用有机金属化学气相沉积技术在衬底上依次外延生长GaN缓冲层、u‑GaN/n‑GaN周期性结构、GaN基超晶格和多量子阱层，得到GaN基MQW结构；在电解液中，对所述GaN基MQW结构进行电化学刻蚀，制备具有中孔GaN DBR的中孔GaN基MQW；以中孔GaN基MQW为衬底，采用再生长技术生长p‑GaN层，制备具有中孔GaN DBR的中孔GaN基LED。本发明是一种具有中孔GaN DBR的中孔GaN基LED的制备方法，能够制备出应力松弛、晶体质量高、散热能力强、大面积、发光效率高的GaN基LED。

公开(公告)号：CN118127618B

公开(公告)日：2024-08-09

申请号：CN202410545624.5

申请日：2024-04-30

申请人： 安徽格恩半导体有限公司

发明人： 郑锦坚 ,  李水清 ,  邓和清 ,  寻飞林 ,  蓝家彬 ,  曹军 ,  李晓琴 ,  蔡鑫 ,  陈婉君 ,  黄军 ,  张会康 ,  季徐芳

IPC分类号： C30B25/02 ,  H01S5/343 ,  C30B25/16 ,  C30B29/40 ,  C30B29/68

摘要： 本发明提出了一种单晶生长方法及单晶氮化镓基半导体激光器元件，所述方法包括：采用MOCVD金属有机化学气相外延生长方法，在单晶衬底上依次外延生长渐变带隙层、下包覆层、下波导层、有源层、上波导层、电子阻挡层和上包覆层的单晶外延层；控制单晶外延层的生长温度、生长时间、压强、转速、温度、生长速率、N2/H2/NH3的流量比例、掺杂元素浓度或杂质元素掺入浓度的组合，制备具有渐变带隙层的单晶氮化镓基半导体激光器元件；其中，所述渐变带隙层采用Al原子渐变通入、温度渐变、压强渐变、转速渐变或N2/H2/NH3的流量比例渐变的任意一种或任意几种组合的方法生长单晶外延层。本发明能够降低激光器的非辐射复合损耗，降低温度淬灭比例、光学灾变比例。

公开(公告)号：CN114171647B

公开(公告)日：2024-06-28

申请号：CN202111334951.9

申请日：2021-11-11

申请人： 江西力特康光学有限公司

发明人： 赖穆人 ,  刘锐森 ,  刘召忠 ,  蓝文新

IPC分类号： H01L33/12 ,  H01L33/04 ,  H01L33/06 ,  H01L33/32 ,  H01L33/00 ,  C30B29/40 ,  C30B29/68 ,  C30B25/02

摘要： 本发明提供了一种氮化物外延结构及其制备方法。为解决低温的氮化铝缓冲层虽然可以减少后续形成的氮化铝薄膜龟裂现象及降低其缺陷密度，但无法有效地抑制穿透位错沿着垂直衬底的方向向上传播至接续的氮化铝镓薄膜。先于蓝宝石衬底上形成低温氮化铝缓冲层，然后形成高温氮化铝层。然后于高温氮化铝层之上形成锗掺杂浓度为3E+20cm‑3及镓掺杂浓度为5E+17cm‑3的共掺杂的氮化铝层，然后形成无掺杂且Al组分恒定的氮化铝镓层(AlaGa1‑aN)，然后将以上共掺杂的氮化铝层及Al组分恒定的氮化铝镓层周期地交叠以形成超晶格，然后于其上形成厚度为1μm‑4μm的另一氮化铝镓层(AlbGa1‑bN)。可降低沿垂直氮化铝薄膜方向向上传播的几率，有效降低深紫外光发光二极管的主动发光区的位错密度。

公开(公告)号：CN117845326A

公开(公告)日：2024-04-09

申请号：CN202410258109.9

申请日：2024-03-07

申请人： 北京大学

发明人： 王新强 ,  李泰 ,  罗巍 ,  袁冶 ,  卢同心 ,  王涛 ,  陈兆营

IPC分类号： C30B25/16 ,  C30B29/40 ,  C30B29/68

摘要： 本发明公开了一种生长AlGaN薄膜的精细调控方法。本发明通过停止Al源供应，以生长腔内残余的Al源的扩散迁移作为生长的驱动力，显著降低生长速率，为Al源提供充足迁移时间，有助于Al源的均匀并入；以残余Al源的扩散迁移作为生长的驱动力，本发明能够实现生长速率低于0.1 nm/s的目标AlGaN薄膜生长；结合残余Al源流量和目标AlGaN薄膜生长时间的控制，实现目标AlGaN薄膜的Al组分和原子层级厚度的精准生长控制；能够形成Al组分逐渐降低或常规恒定的目标AlGaN薄膜；本发明在外延结构和器件制备方面具有直接应用的重大价值，应用于紫外发光/激光二极管等发光器件的有源区、p型极化诱导层、HEMT的AlGaN势垒层、多周期超晶格结构和AlGaN组分渐变的应变调制层等。

公开(公告)号：CN117468090B

公开(公告)日：2024-03-22

申请号：CN202311811458.0

申请日：2023-12-27

申请人： 上海交通大学

发明人： 黄富强 ,  孔舒仪

IPC分类号： C30B29/10 ,  H01L31/032 ,  H01L31/09 ,  C30B29/68 ,  C30B1/10

摘要： 本发明涉及无机材料技术领域，特别是涉及一种钽（IV）氧卤化合物晶体材料及其制备方法与应用，所述晶体材料的化学式为TaOCl2，是一种层状范德华材料，属于单斜晶系。由TaOCl2的单层沿面外方向堆叠而成，单层之间为范德华相互作用力。材料且存在面内各向异性，可发展为面内各向异性的光电探测材料。钽（IV）氧卤化合物晶体材料的制备方法包括：将钽源、氧元素源和六氯苯的原料，在真空环境中采用高温固相反应法于600～650℃保温超过24小时后降温冷却获得。该制备方法具有步骤简单、生长周期短、成功率高等特点，可以高效制备出完整性好、单晶数量多、尺寸大的钽基氧化二卤化合物晶体，满足研究和应用需求。

公开(公告)号：CN117005026A

公开(公告)日：2023-11-07

申请号：CN202311094635.8

申请日：2023-08-29

申请人： 西安奕斯伟材料科技股份有限公司

发明人： 李安杰

IPC分类号： C30B29/06 ,  C30B29/68 ,  C30B15/14 ,  C30B15/20

摘要： 本发明提供了一种基板、拉晶炉及其工作方法，属于半导体制造技术领域。基板的制作方法，包括：制备具有超晶格结构的纳米片；对纳米片进行研磨，得到纳米粉体；将纳米粉体与纳米片在去离子水或乙醇中混合，在槽深不大于5厘米的容纳槽中进行沉降，形成织构结构；对织构结构进行烧结成型后得到基板。拉晶炉包括：炉体；设置在炉体内壁上的冷却结构；位于炉体内部不同位置的多个热电单元，热电单元的第一端与冷却结构连接，热电单元的第二端朝向炉体内部，热电单元能够在第一端与第二端之间存在温度差时产生电信号，且电信号的大小与温度差的大小成正比。本发明的技术方案能够获取拉晶炉内高精度的温度分布。

公开(公告)号：CN116905090A

公开(公告)日：2023-10-20

申请号：CN202311171845.2

申请日：2023-09-12

申请人： 苏州焜原光电有限公司

发明人： 张国祯 ,  陈意桥

IPC分类号： C30B29/42 ,  C30B29/40 ,  C30B29/68 ,  C30B25/02 ,  C30B25/18

摘要： 本发明提供一种渐变磷组分磷砷化镓材料的生长方法，包括如下步骤：S1、去除砷化镓衬底表面的氧化层，得到新鲜的GaAs表面；S2、生长一层GaAs缓冲层，以平滑脱氧后GaAs表面；S3、依次生长多层由数字合金GaAs/GaAsPx组成的渐变层，在数字合金GaAs/GaAsPx渐变层中，GaAsPx组分厚度由内向外逐层递增且0.10≤x≤0.40，GaAs组分厚度由内向外逐层递减至0，从而实现磷组分从0渐变到x，得到渐变磷组分磷砷化镓材料。本方法可以在GaAs衬底上生长出大失配、高质量的GaAsP材料，使其能够克服现有技术中生长重复性差、小阀位下磷束流不稳定的问题。

公开(公告)号：CN116497457A

公开(公告)日：2023-07-28

申请号：CN202310611417.0

申请日：2023-05-29

申请人： 中国科学院宁波材料技术与工程研究所

发明人： 蒲吉斌 ,  史彦斌 ,  王海新

IPC分类号： C30B29/68 ,  C30B23/02 ,  C30B29/02 ,  C30B29/38 ,  C30B29/46 ,  C23C14/02 ,  C23C14/06 ,  C23C14/35

摘要： 本发明公开了一种低摩擦长寿命的超晶格复合涂层及其制备方法与用途。所述超晶格复合涂层包括：依次形成于基体表面的钛过渡层、TiNx承载层、TiNx/MoS2梯度过渡层、MoS2/Me梯度过渡层及MoS2/Me超晶格层；其中，在沿逐渐远离所述基体的方向上，所述TiNx/MoS2梯度过渡层中的MoS2含量呈升高趋势，所述MoS2/Me梯度过渡层中的MoS2含量呈降低趋势。本发明的超晶格复合涂层具有优异的力学和摩擦学性能，真空摩擦系数低于0.02，摩擦寿命超过4×106转，能满足航天飞行器超低摩擦及超长寿命服役要求，同时本发明提供的所述复合涂层的制备方法简单稳定有效，具有显著的实用价值和经济效益。

公开(公告)号：CN114197054B

公开(公告)日：2023-06-20

申请号：CN202110137074.X

申请日：2021-02-01

申请人： 湖南大学

发明人： 段曦东 ,  赵蓓

IPC分类号： C30B29/68 ,  C30B29/46 ,  C30B7/02

摘要： 本发明涉及一种多维高阶超晶格的制备领域，具体公开了一种高阶超晶格的制备方法，包括以下步骤：步骤(1)：制备垂直异质结材料；步骤(2)：在距离所述的垂直异质结合成的2小时内，向所述的垂直异质结材料的表面加入功能溶剂，即得所述的高阶超晶格；所述的功能溶剂为有机溶剂‑水的均相溶液；或者为有机溶剂‑水‑碱的均相溶液。本发明的研究首次证明了具有多种材料成分和尺寸的高阶范德华超晶格，可用于创建高度工程化的结构，从而超越了传统的晶格匹配或加工兼容性要求。

公开(公告)号：CN116111014A

公开(公告)日：2023-05-12

申请号：CN202310125951.0

申请日：2023-02-16

申请人： 江西兆驰半导体有限公司

发明人： 侯合林 ,  谢志文 ,  张铭信 ,  陈铭胜 ,  文国昇 ,  金从龙

IPC分类号： H01L33/02 ,  C30B29/40 ,  C30B29/68 ,  C30B25/18 ,  C30B25/16 ,  H01L33/14 ,  H01L33/00

摘要： 本发明提供一种GaN基LED外延片及外延生长方法，通过控制扩展层和滞缓层中扩展子层和滞缓子层In含量先升高再降低的变化，可以使得有源层与滞缓层以及扩展层之间产生势阱深度，且靠近有源层一侧滞缓层的势阱相对更深，可有效减缓电子向有源层的迁移速率，提高有源层对电子局限能力，改善电子注入P型氮化物层发生非辐射复合，最终到达提高发光效率的目的。