发明授权
- 专利标题: 一种激光电池及其制备方法
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申请号: CN202211496537.2申请日: 2022-11-28
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公开(公告)号: CN115548146B公开(公告)日: 2023-03-24
- 发明人: 张宇荧 , 苟于单 , 王俊 , 张玉国 , 赵武 , 张立晨 , 廖新胜
- 申请人: 苏州长光华芯光电技术股份有限公司 , 苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
- 申请人地址: 江苏省苏州市高新区漓江路56号;
- 专利权人: 苏州长光华芯光电技术股份有限公司,苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
- 当前专利权人: 苏州长光华芯光电技术股份有限公司,苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
- 当前专利权人地址: 江苏省苏州市高新区漓江路56号;
- 代理机构: 北京三聚阳光知识产权代理有限公司
- 代理商 薛异荣
- 主分类号: H01L31/0304
- IPC分类号: H01L31/0304 ; H01L31/0352 ; H01L31/075 ; H01L31/18
摘要:
一种激光电池及其制备方法,激光电池包括:半导体衬底层;晶格变异缓冲结构;晶格变异缓冲结构包括自下至上依次层叠的第一缓冲单元至第N缓冲单元、以及位于第N缓冲单元背离半导体衬底层一侧的第N+1组分步进层;第一缓冲单元至第N缓冲单元中的任意第n缓冲单元包括自下至上层叠的第n组分步进层和第n组分回调层;第一组分步进层至第N+1组分步进层、第一组分回调层至第N组分回调层中均包含相同的元素组;第一组分步进层至第N+1组分步进层中的晶格调节元素的组分含量逐渐递增;第一组分回调层至第N组分回调层中的晶格调节元素的组分含量逐渐递增;光吸收层。所述激光电池能发射出需要波长,且能实现成本较低、质量较好。
公开/授权文献
- CN115548146A 一种激光电池及其制备方法 公开/授权日:2022-12-30
IPC分类: