本申请提供的晶向精确对准的方法，对硅晶圆进行晶向定位；获取与硅晶圆的晶向平行的参考光栅；将带有参考光栅的欲曝光的光栅基底置于精密转台上；移动精密转台，使位于精密转台左右两束曝光光束均在光栅基底的法线方向产生衍射光；旋转精密转台使两束衍射光重合并获取干涉图样；调整精密转台，使干涉图样出现的干涉条纹周期达到最大值，静态对准完成，本申请提供的晶向精确对准的方法，通过引入一个光栅周期与SBIL系统干涉场周期相匹配的参考光栅作为中间过程，避免了在SBIL系统中引入额外元件，并且把耗时较长的过程转移到紫外光刻设备中，提高了SBIL系统的使用效率。