本发明公开了一种IGZO TFT液晶面板制备方法，包括：步骤一，制备IGZO TFT阵列基板；步骤二，制备CF彩膜基板；步骤三，通过Cell成盒工艺对阵列基板、彩膜基板进行成盒处理；所述阵列基板的制程中包括对栅极层、栅极绝缘层、氧化物半导体层、刻蚀阻挡层、钝化层的优化，且优化过程被配置为包括：通过先在玻璃基板上溅射栅极材料膜，经掩膜曝光、显影、干法蚀刻后形成栅极布线图案；通过溅射成膜法得到ITO膜，再经掩膜曝光及湿法蚀刻构成显示电极图案，得到刻蚀阻挡层。本发明提供一种IGZO TFT液晶面板制备方法，IGZO TFT液晶面板的制备工艺主要面向50英寸以上IGZO电视液晶显示面板，在制备中通过增加钝化层等膜层结构设计，对膜基结合力和膜抗氧化等性能进行提升。