发明公开
CN115609002A 一种高纯超细金属锗粉制备方法
无效 - 驳回
- 专利标题: 一种高纯超细金属锗粉制备方法
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申请号: CN202211198029.6申请日: 2022-09-29
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公开(公告)号: CN115609002A公开(公告)日: 2023-01-17
- 发明人: 崔丁方 , 雷华志 , 彭明清 , 包崇军 , 何兴军 , 陈俊肖 , 李雨耕 , 缪彦美 , 子光平
- 申请人: 云南驰宏国际锗业有限公司
- 申请人地址: 云南省曲靖市经济技术开发区驰宏公司办公楼第二层
- 专利权人: 云南驰宏国际锗业有限公司
- 当前专利权人: 云南驰宏国际锗业有限公司
- 当前专利权人地址: 云南省曲靖市经济技术开发区驰宏公司办公楼第二层
- 代理机构: 北京名华博信知识产权代理有限公司
- 代理商 薛飞
- 主分类号: B22F9/24
- IPC分类号: B22F9/24 ; C22B41/00
摘要:
本发明涉及一种高纯超细金属锗粉制备方法。本发明在高纯石英管内镀一层碳膜,碳膜是通过在等离子体中的高纯碳氢化合物离子化而得到,碳膜结构为类金刚石,具有高纯度、高硬度、高弹性模量、高熔点、化学惰性和与基体石英管结合牢固等特点,并将石英管放置在高温炉内,确保石英管内部温度高于700℃,将加热的高纯H2,并将加热后的H2通入到镀碳膜后的石英管中,同时加热高纯GeCl4并通入石英管中,让H2和在高温条件下发生反应,生成粉状的金属锗粉和HCl气体,未反应的GeCl4和反应生成HCl气体用浓盐酸吸收后进行分离,GeCl4循环利用,HCl储存备用,工艺具有环保、原料利用率高等优势,H2通过浓盐酸吸收液后不被吸收,直接排空。