一种超高纯GeCl4制备方法
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115477322A

    公开(公告)日:2022-12-16

    申请号:CN202211197989.0

    申请日:2022-09-29

    IPC分类号: C01G17/04

    摘要: 本发明涉及一种超高纯GeCl4制备方法。本发明提供的超高纯GeCl4制备方法,在高纯石英管内镀一层碳膜,碳膜是通过在等离子体中的高纯碳氢化合物离子化而得到,碳膜结构为类金刚石,具有高纯度、高硬度、高弹性模量、高熔点、化学惰性和与基体石英管结合牢固等特点,生产使用过程不会发生脱落、引入杂质等,杜绝高温条件下石英管内杂质进入产品,将区熔锗锭放置在已镀碳膜的石英管内,向石英管内通入高纯Cl2,在石英管外部通过高频感应线圈加热管内金属锗锭,待区熔锗锭温度达到630℃以上后通入Cl2,锗锭与Cl2自发反应生成气态GeCl4,气态GeCl4通过冷凝收集即可得到超高纯GeCl4。

    一种制备金属锗的系统和方法
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116536532A

    公开(公告)日:2023-08-04

    申请号:CN202310323723.4

    申请日:2023-03-29

    IPC分类号: C22B41/00 C22B5/14

    摘要: 本发明公开了一种制备金属锗的系统和方法,本发明采用氢直接还原四氯化锗制备金属锗,并匹配了相应的尾气综合回收处理系统,实现了原料循环利用,反应为封闭式,不引入新的杂质元素,有利于保证产品质量,同时本发明实现了元素内循环,尤其的氯元素,四氯化锗被还原后,氯元素形成氯化氢,氯化氢气体经回收后形成盐酸,盐酸氯化蒸馏得到四氯化锗,解决了实际生产中污酸处理问题,实现了良好的经济和环保效益。本发明具有工艺流程短、原料利用率高、几乎不产生污染等问题,同时能保证目标产品质量等优势。

    一种高纯超细金属锗粉制备方法

    公开(公告)号:CN115609002A

    公开(公告)日:2023-01-17

    申请号:CN202211198029.6

    申请日:2022-09-29

    IPC分类号: B22F9/24 C22B41/00

    摘要: 本发明涉及一种高纯超细金属锗粉制备方法。本发明在高纯石英管内镀一层碳膜,碳膜是通过在等离子体中的高纯碳氢化合物离子化而得到,碳膜结构为类金刚石,具有高纯度、高硬度、高弹性模量、高熔点、化学惰性和与基体石英管结合牢固等特点,并将石英管放置在高温炉内,确保石英管内部温度高于700℃,将加热的高纯H2,并将加热后的H2通入到镀碳膜后的石英管中,同时加热高纯GeCl4并通入石英管中,让H2和在高温条件下发生反应,生成粉状的金属锗粉和HCl气体,未反应的GeCl4和反应生成HCl气体用浓盐酸吸收后进行分离,GeCl4循环利用,HCl储存备用,工艺具有环保、原料利用率高等优势,H2通过浓盐酸吸收液后不被吸收,直接排空。