发明公开
- 专利标题: 一种深紫外化学放大正型光刻胶组合物和图案形成方法
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申请号: CN202211258412.6申请日: 2022-10-14
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公开(公告)号: CN115616860A公开(公告)日: 2023-01-17
- 发明人: 郑金红 , 孙嘉 , 房彩琴 , 陈崇明 , 李冰 , 陈欣 , 王文芳 , 董栋 , 张宁
- 申请人: 北京科华微电子材料有限公司 , 上海彤程电子材料有限公司 , 彤程新材料集团股份有限公司
- 申请人地址: 北京市顺义区竺园路4号(天竺综合保税区); ;
- 专利权人: 北京科华微电子材料有限公司,上海彤程电子材料有限公司,彤程新材料集团股份有限公司
- 当前专利权人: 北京科华微电子材料有限公司,上海彤程电子材料有限公司,彤程新材料集团股份有限公司
- 当前专利权人地址: 北京市顺义区竺园路4号(天竺综合保税区); ;
- 代理机构: 北京超凡宏宇专利代理事务所
- 代理商 王焕
- 主分类号: G03F7/004
- IPC分类号: G03F7/004 ; G03F7/039 ; G03F7/20
摘要:
本发明涉及光刻胶技术领域,尤其是涉及一种深紫外化学放大正型光刻胶组合物和图案形成方法。深紫外化学放大正型光刻胶组合物,包括如下组分:聚合物、含有苯基的化合物、光致产酸剂、含氮化合物、表面活性剂和溶剂;聚合物包括聚合物A,聚合物A具有如式(I)所示的结构:式中,R1选自甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、异丁基、环戊基和环己基中的任一种;R2选自氢、甲基和乙基中的任一种;结构单元x与结构单元y的摩尔百分比为65~80mol%:20~35mol%。该光刻胶具有光刻工艺窗口大、曝光宽容度大和焦深大的特点,在无抗反射底层保护的高反射基底上光刻可获得无驻波、CD波动小和侧壁角呈直角的光刻胶图案。
IPC分类: