公开(公告)号：CN114136909B

公开(公告)日：2024-08-16

申请号：CN202111460580.9

申请日：2021-12-02

申请人： 上海彤程电子材料有限公司 ,  北京彤程创展科技有限公司 ,  北京科华微电子材料有限公司 ,  彤程化学(中国)有限公司 ,  彤程新材料集团股份有限公司

发明人： 房彩琴 ,  李冰 ,  孙嘉 ,  鲁代仁 ,  董栋 ,  张宁

IPC分类号： G01N21/35 ,  G01N21/3563

摘要： 本申请涉及光刻胶树脂技术领域，提供了一种测试聚(4‑羟基苯乙烯‑co‑特丁氧酰氧基苯乙烯)羟基保护率的方法，通过获得已知羟基保护率的聚(4‑羟基苯乙烯‑co‑特丁氧酰氧基苯乙烯)样品中羰基的两个特征峰总面积和苯环对位取代基的特征峰面积的比值，建立得到标准曲线的回归方程；将聚(4‑羟基苯乙烯‑co‑特丁氧酰氧基苯乙烯)待测样品中羰基的两个特征峰总面积和苯环对位取代基的特征峰面积的比值代入上述回归方程，即可计算得到待测样品的羟基保护率；该方法能够准确获得聚(4‑羟基苯乙烯‑co‑特丁氧酰氧基苯乙烯)待测样品的羟基保护率，且具有简便、分析速度快、准确度高、误差小、检测成本低等优势。

公开(公告)号：CN113485072B

公开(公告)日：2023-11-07

申请号：CN202110691354.5

申请日：2021-06-22

申请人： 北京科华微电子材料有限公司 ,  北京科华丰园微电子科技有限公司 ,  上海彤程电子材料有限公司 ,  彤程新材料集团股份有限公司

发明人： 刁翠梅 ,  李冰 ,  张咪 ,  王双双 ,  陈昕 ,  王文芳 ,  董栋 ,  张宁

IPC分类号： G03F7/004

摘要： 本申请提供了一种光刻胶组合物及其用途，该光刻胶组合物，以重量份计，包括以下成分：酚醛树脂10‑50份、感光剂1‑10份、塑化剂0.1‑5份、添加剂0.1‑5份和有机溶剂40‑100份，添加剂包括结构式(I)所示化合物中的至少一种。将本申请的光刻胶作为G线光刻胶或I线光刻胶使用，具有较低的回流温度，能避免高温对器件造成不利影响，在较低的温度下迅速回流形成形貌良好的微镜阵列，可用于对温度要求苛刻的生产工艺中。而且较小尺寸、或者较大高宽比的图形也能回流成形貌良好的微镜阵列。#imgabs0#

公开(公告)号：CN113804867B

公开(公告)日：2023-10-31

申请号：CN202111138814.8

申请日：2021-09-27

申请人： 上海彤程电子材料有限公司 ,  北京彤程创展科技有限公司 ,  北京科华微电子材料有限公司 ,  彤程化学(中国)有限公司 ,  彤程新材料集团股份有限公司

发明人： 王璨 ,  房彩琴 ,  马洁 ,  孙嘉 ,  李冰 ,  鲁代仁 ,  董栋 ,  张宁

IPC分类号： G01N33/44

摘要： 本申请提供了一种测试光刻胶树脂组分的方法，通过获得光刻胶树脂中保护基团R的结构及分子量，采用凝胶渗透色谱获得光刻胶树脂经衍生化处理前后的重均分子量，并经本申请的公式计算，获得光刻胶树脂中保护基团R的保护率，进而获得光刻胶树脂中各单体的组分；所述方法能够准确获得光刻胶树脂中各单体的组分，为确定光刻胶树脂的性能提供了理论依据，且所述方法具有简便、灵敏度高、分析速度快、准确率高、误差小等优势。

公开(公告)号：CN115725216B

公开(公告)日：2023-10-24

申请号：CN202211319214.6

申请日：2022-10-26

申请人： 北京科华微电子材料有限公司 ,  上海彤程电子材料有限公司 ,  彤程新材料集团股份有限公司

发明人： 姚宇晨 ,  李冰 ,  李海波 ,  李杰 ,  陈昕 ,  董栋 ,  张宁

IPC分类号： G03F7/09 ,  C09D133/14

摘要： 本申请提供了一种底部抗反射涂层组合物及其用途，其中，底部抗反射涂层组合物不含小分子的交联剂、产酸剂，该底部抗反射涂层组合物含有丙烯酸树脂共聚物A和丙烯酸树脂共聚物B，能够引入含有可热交联的环氧基团和芳香胺基团，可以在热交联的过程中减少由于小分子气化‑重结晶导致的污染情况的发生。

公开(公告)号：CN115793391A

公开(公告)日：2023-03-14

申请号：CN202211513745.9

申请日：2022-11-29

申请人： 北京科华微电子材料有限公司 ,  上海彤程电子材料有限公司 ,  彤程新材料集团股份有限公司

发明人： 张咪 ,  李冰 ,  刁翠梅 ,  詹捷 ,  张益涛 ,  陈昕 ,  王文芳 ,  董栋 ,  张宁

IPC分类号： G03F7/004 ,  H01L21/56

摘要： 本申请提供一种光刻胶及其应用，属于半导体及集成电路技术领域。光刻胶包括10wt％～30wt％酚醛树脂、2wt％～10wt％重氮萘醌感光剂和0.1wt％～10wt％添加剂。本申请在重氮萘醌型光刻胶中加入含卤素的添加剂，添加剂能够和光刻胶中的其他成分相互作用，从而提高光刻胶的光敏感度，且能够使得光刻胶具有较好的光刻性能，具体表现为侧壁较垂直的形貌。

公开(公告)号：CN112630336B

公开(公告)日：2022-09-16

申请号：CN202011489899.X

申请日：2020-12-16

申请人： 上海彤程电子材料有限公司 ,  北京彤程创展科技有限公司 ,  北京科华微电子材料有限公司 ,  彤程化学(中国)有限公司 ,  彤程新材料集团股份有限公司

发明人： 高剑琴 ,  刁翠梅 ,  阮振刚 ,  李冰 ,  鲁代仁 ,  董栋 ,  张宁

IPC分类号： G01N30/02 ,  G01N30/06 ,  G01N30/34 ,  G01N30/68 ,  G01N30/86

摘要： 本申请涉及定量检测的技术领域，更具体地说，它涉及一种酚醛树脂中酚的检测方法，具体包括以下步骤：制备树脂溶液；制备标准液；检测：利用裂解‑气相色谱联用对所述树脂溶液和所述标准液进行检测；计算：根据检测结果，按照公式（一）进行计算；式中：Moli,%‑酚单体i的摩尔百分比；Ai‑酚单体i在气相色谱图中的积分面积；Mi‑酚单体i的摩尔质量。本申请为酚醛树脂的分析提供一种更加便捷的技术手段，检测快速准确，具有高灵敏度和高准确性。

公开(公告)号：CN113234194B

公开(公告)日：2022-08-12

申请号：CN202110725188.6

申请日：2021-06-29

申请人： 北京科华微电子材料有限公司 ,  北京科华丰园微电子科技有限公司 ,  上海彤程电子材料有限公司 ,  彤程新材料集团股份有限公司

发明人： 李杰 ,  李冰 ,  李海波 ,  姚宇晨 ,  陈昕 ,  王文芳 ,  董栋 ,  张宁

IPC分类号： C08F222/40 ,  C08F220/14 ,  C08F220/20 ,  C08F8/12 ,  C09J135/00 ,  G03F7/42

摘要： 本申请提供一种共聚物、底层胶组合物、双层体系及其在双层剥离工艺中的应用。属于半导体技术领域。共聚物由N取代马来酰亚胺单体、溶解速率控制单体、丙烯酸酯疏水性单体和丙烯酸羟乙酯亲水性单体聚合得到。本申请的共聚物不溶解于传统光刻胶的溶剂，可以溶解于碱性溶液中，不溶于水，且具有较高的玻璃化转变温度，并具有较好的化学稳定性和抗刻蚀能力，能够作为双层剥离工艺的底层树脂材料。双层体系包括顶层光刻胶和共聚物形成的底层胶。双层体系能够用于双层剥离工艺，且只需要单次显影和单次显影就可以得到目标光刻图案，大大提高光刻效率。

公开(公告)号：CN114136910A

公开(公告)日：2022-03-04

申请号：CN202111474323.0

申请日：2021-12-02

申请人： 上海彤程电子材料有限公司 ,  北京彤程创展科技有限公司 ,  北京科华微电子材料有限公司 ,  彤程化学(中国)有限公司 ,  彤程新材料集团股份有限公司

发明人： 房彩琴 ,  李冰 ,  孙嘉 ,  鲁代仁 ,  董栋 ,  张宁

IPC分类号： G01N21/35 ,  G01N21/3563

摘要： 本申请涉及光刻胶树脂技术领域，提供了一种测试丙烯酸叔丁酯与对羟基苯乙烯共聚物中重复单元的摩尔分数的方法，通过获得已知两种重复单元的摩尔比的丙烯酸叔丁酯与对羟基苯乙烯共聚物样品中羰基的特征峰高度和苯环对位取代基的特征峰高度的比值，建立得到标准曲线的回归方程；将待测样品中羰基的特征峰高度和苯环对位取代基的特征峰高度的比值代入上述回归方程，即可计算得到待测样品中两种重复单元的摩尔比，进而换算得到待测样品中重复单元的摩尔分数。该方法能够准确获得丙烯酸叔丁酯与对羟基苯乙烯共聚物待测样品中重复单元的摩尔分数，且不需要使用毒性较大的良溶剂，具有简便、分析速度快、准确度高、误差小、检测成本低、安全环保等优势。

公开(公告)号：CN114136909A

公开(公告)日：2022-03-04

申请号：CN202111460580.9

申请日：2021-12-02

申请人： 上海彤程电子材料有限公司 ,  北京彤程创展科技有限公司 ,  北京科华微电子材料有限公司 ,  彤程化学(中国)有限公司 ,  彤程新材料集团股份有限公司

发明人： 房彩琴 ,  李冰 ,  孙嘉 ,  鲁代仁 ,  董栋 ,  张宁

IPC分类号： G01N21/35 ,  G01N21/3563

摘要： 本申请涉及光刻胶树脂技术领域，提供了一种测试聚(4‑羟基苯乙烯‑co‑特丁氧酰氧基苯乙烯)羟基保护率的方法，通过获得已知羟基保护率的聚(4‑羟基苯乙烯‑co‑特丁氧酰氧基苯乙烯)样品中羰基的两个特征峰总面积和苯环对位取代基的特征峰面积的比值，建立得到标准曲线的回归方程；将聚(4‑羟基苯乙烯‑co‑特丁氧酰氧基苯乙烯)待测样品中羰基的两个特征峰总面积和苯环对位取代基的特征峰面积的比值代入上述回归方程，即可计算得到待测样品的羟基保护率；该方法能够准确获得聚(4‑羟基苯乙烯‑co‑特丁氧酰氧基苯乙烯)待测样品的羟基保护率，且具有简便、分析速度快、准确度高、误差小、检测成本低等优势。

公开(公告)号：CN113759046A

公开(公告)日：2021-12-07

申请号：CN202111116984.6

申请日：2021-09-23

申请人： 上海彤程电子材料有限公司 ,  北京彤程创展科技有限公司 ,  北京科华微电子材料有限公司 ,  彤程化学(中国)有限公司 ,  彤程新材料集团股份有限公司

发明人： 房彩琴 ,  孙嘉 ,  李冰 ,  鲁代仁 ,  董栋 ,  张宁

IPC分类号： G01N30/02 ,  G01N30/06 ,  G01N30/72

摘要： 本申请涉及材料检测技术领域，具体而言，涉及一种气相色谱‑质谱联用检测光刻胶膜中丙二醇甲醚醋酸酯的方法及半导体器件的加工工艺。检测方法包括以下步骤：将涂覆有光刻胶膜的硅片碎片放入萃取剂中进行超声萃取，将萃取液和内标溶液配置为待测样品液；配制不同浓度的丙二醇甲醚醋酸酯的标准品溶液；用气相色谱‑质谱联用检测各标准品溶液，根据丙二醇甲醚醋酸酯与内标物的离子色谱峰的面积比与丙二醇甲醚醋酸酯的浓度进行回归分析，建立回归方程；检测待测样品液，获得丙二醇甲醚醋酸酯与内标物的离子色谱峰的面积比，将其代入所述回归方程进行计算，得到待测样品液中丙二醇甲醚醋酸酯的浓度。实验重复性、分析测定灵敏度高，定量结果准确。