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公开(公告)号：CN115639722A
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN202211361864.7
申请日：2022-11-02
申请人： 北京科华微电子材料有限公司 , 上海彤程电子材料有限公司 , 彤程新材料集团股份有限公司
摘要： 本申请提供了一种光刻胶组合物及其用途，其中，光刻胶组合物通过添加含多羟基苯基化合物的添加剂，一方面提高了非曝光区的溶解速率，解决了显影后光刻胶图形表面有残留物的问题，另一方面由于光刻胶组合物的结构上可交联的羟基数目多，曝光区交联密度大，使曝光区与非曝光区，溶解速率差距进一步增大，提高了光刻胶的对比度，从而解决了显影后光刻胶图形的间隔区出现桥接缺陷的问题。将本申请的光刻胶组合物用作深紫外KrF负型光刻胶时，其具有更高的分辨率和更好的工艺窗口。
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公开(公告)号：CN113419404B
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202110731453.1
申请日：2021-06-29
申请人： 北京科华微电子材料有限公司 , 北京科华丰园微电子科技有限公司 , 上海彤程电子材料有限公司 , 彤程新材料集团股份有限公司
摘要： 本申请提供一种光刻胶组合物，属于光刻技术领域。光刻胶组合物包括：100重量份化学放大正性光刻胶基体树脂、0.2～30重量份光致产酸剂和0.01～5重量份碱性添加剂。光致产酸剂包括三嗪类化合物，碱性添加剂包括含有氧原子的胺类化合物。本申请将三嗪类光致产酸剂与含有氧原子的胺类化合物配合，能够使得化学放大正性光刻胶的加工窗口DOF显著提升。同时，三嗪类光致产酸剂与含有氧原子的胺类化合物配合还能够改善光刻胶的顶部形貌，降低顶部损失，降低粗糙度。
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公开(公告)号：CN115616860A
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202211258412.6
申请日：2022-10-14
申请人： 北京科华微电子材料有限公司 , 上海彤程电子材料有限公司 , 彤程新材料集团股份有限公司
摘要： 本发明涉及光刻胶技术领域，尤其是涉及一种深紫外化学放大正型光刻胶组合物和图案形成方法。深紫外化学放大正型光刻胶组合物，包括如下组分：聚合物、含有苯基的化合物、光致产酸剂、含氮化合物、表面活性剂和溶剂；聚合物包括聚合物A，聚合物A具有如式(I)所示的结构：式中，R1选自甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、异丁基、环戊基和环己基中的任一种；R2选自氢、甲基和乙基中的任一种；结构单元x与结构单元y的摩尔百分比为65～80mol％：20～35mol％。该光刻胶具有光刻工艺窗口大、曝光宽容度大和焦深大的特点，在无抗反射底层保护的高反射基底上光刻可获得无驻波、CD波动小和侧壁角呈直角的光刻胶图案。
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公开(公告)号：CN113419404A
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN202110731453.1
申请日：2021-06-29
申请人： 北京科华微电子材料有限公司 , 北京科华丰园微电子科技有限公司 , 上海彤程电子材料有限公司 , 彤程新材料集团股份有限公司
摘要： 本申请提供一种光刻胶组合物，属于光刻技术领域。光刻胶组合物包括：100重量份化学放大正性光刻胶基体树脂、0.2～30重量份光致产酸剂和0.01～5重量份碱性添加剂。光致产酸剂包括三嗪类化合物，碱性添加剂包括含有氧原子的胺类化合物。本申请将三嗪类光致产酸剂与含有氧原子的胺类化合物配合，能够使得化学放大正性光刻胶的加工窗口DOF显著提升。同时，三嗪类光致产酸剂与含有氧原子的胺类化合物配合还能够改善光刻胶的顶部形貌，降低顶部损失，降低粗糙度。
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公开(公告)号：CN103324030A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201310276738.6
申请日：2013-07-03
申请人： 北京科华微电子材料有限公司 , 北京科华丰园微电子科技有限公司
CPC分类号： G03F7/16 , G03F7/0045 , G03F7/0392
摘要： 本发明提供了一种正型光刻胶组合物及一种正型光刻胶显影工艺步骤。所述正型光刻胶组合物包含聚合物（A）、光致产酸剂（B）、溶剂以及添加剂，同时所述正型光刻胶组合物还包括了光敏剂（C）和含氮化合物（D），它能够吸收波长为365nm的光能，受激发后，把电子转移给在365nm无吸收的光致产酸剂，使光致产酸剂产酸。同时，本发明所提供的正型光刻胶显影工艺步骤能够利用光刻胶在基片上形成图像。按照本发明所提供的光刻胶组合物在365nm的光辐照形成图像时，感光速度快、分辨率高、线条边缘粗糙度小。
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公开(公告)号：CN1928719A
公开(公告)日：2007-03-14
申请号：CN200510098290.9
申请日：2005-09-07
申请人： 北京科华微电子材料有限公司 , 北京化学试剂研究所
IPC分类号： G03F7/039 , G03F7/00 , H01L21/027
摘要： 本发明涉及的单体、聚合物以及由此制备的适用于深紫外光源、特别是ArF光源的光刻胶，又称光致抗蚀剂。本发明中新型的聚合物、共聚物、三聚物可用化学结构式1表示，其中包含的若干单体在所述光刻胶组合物中起粘接剂作用。多环内酯单体与化学结构式1中的其它单体联合使用。其中R1、R5、R9分别为卤素、氢原子或烷基；R2和R6为烷基；R3、R4、R7和R8为本文所定义的叔脂环基团。
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公开(公告)号：CN1779569A
公开(公告)日：2006-05-31
申请号：CN200410091156.1
申请日：2004-11-22
申请人： 北京科华微电子材料有限公司 , 北京化学试剂研究所
摘要： 本发明涉及到单体、聚合物以及由此制备的适用于深紫外光源、尤其是ArF光源的光刻工艺光刻胶，又称光致抗蚀剂。本发明中新型的聚合物包括共聚物和三聚物，具体可用化学结构式1表示。其中氟代环烯烃单体中的R1可以是氢原子或本文所定义的酸不稳定悬挂基团，R2为C1～C10的烷基、卤素或三氟甲基。所述结构式1的共聚单体中的R3为卤素、氢原子或烷基，R4、R5、R6为说明书所定义的叔脂环基团。
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公开(公告)号：CN103324030B
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201310276738.6
申请日：2013-07-03
申请人： 北京科华微电子材料有限公司 , 北京科华丰园微电子科技有限公司
CPC分类号： G03F7/16 , G03F7/0045 , G03F7/0392
摘要： 本发明提供了一种正型光刻胶组合物及一种正型光刻胶显影工艺步骤。所述正型光刻胶组合物包含聚合物（A）、光致产酸剂（B）、溶剂以及添加剂，同时所述正型光刻胶组合物还包括了光敏剂（C）和含氮化合物（D），它能够吸收波长为365nm的光能，受激发后，把电子转移给在365nm无吸收的光致产酸剂，使光致产酸剂产酸。同时，本发明所提供的正型光刻胶显影工艺步骤能够利用光刻胶在基片上形成图像。按照本发明所提供的光刻胶组合物在365nm的光辐照形成图像时，感光速度快、分辨率高、线条边缘粗糙度小。
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公开(公告)号：CN1779569B
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN200410091156.1
申请日：2004-11-22
申请人： 北京科华微电子材料有限公司 , 北京化学试剂研究所
摘要： 本发明涉及到单体、聚合物以及由此制备的适用于深紫外光源、尤其是ArF光源的光刻工艺光刻胶，又称光致抗蚀剂。本发明中新型的聚合物包括共聚物和三聚物，具体可用化学结构式1表示。Chemical Formula 1其中氟代环烯烃单体中的R1可以是氢原子或本文所定义的酸不稳定悬挂基团，R2为C1～C10的烷基、卤素或三氟甲基。所述结构式1的共聚单体中的R3为卤素、氢原子或烷基，R4、R5、R6为说明书所定义的叔脂环基团。
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