- 专利标题: 含吡啶环改性聚碳硅烷及吸波碳化硅陶瓷粉体的制备方法
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申请号: CN202211193643.3申请日: 2022-09-28
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公开(公告)号: CN115651202B公开(公告)日: 2023-12-01
- 发明人: 陈义 , 邱海鹏 , 王岭 , 王晓猛 , 罗文东 , 张冰玉 , 徐俊杰
- 申请人: 中国航空制造技术研究院
- 申请人地址: 北京市朝阳区八里桥北东军庄1号
- 专利权人: 中国航空制造技术研究院
- 当前专利权人: 中国航空制造技术研究院
- 当前专利权人地址: 北京市朝阳区八里桥北东军庄1号
- 主分类号: C08G77/60
- IPC分类号: C08G77/60 ; C04B35/571 ; C04B35/626
摘要:
本发明涉及一种含吡啶环改性聚碳硅烷及其制备方法,包括步骤:在惰性气氛保护下,将一定比例的三氯化硼、甲基乙烯基二氯硅烷以及二甲基乙烯基氯硅烷混合均匀,得到混合反应物;将聚碳硅烷溶液与六甲基二硅氮烷混合均匀,得到混合溶液;将混合溶液滴入冷却状态下的混合反应物中,待混合溶液滴加完毕后在搅拌条件下以第一预设时间进行室温反应;向室温反应后的混合反应物中滴入硼烷吡啶,在第一预设温度下以第二预设时间进行反应,得到含吡啶环改性聚碳硅烷。该含吡啶环改性聚碳硅烷及其制备方法的目的是解决现有的聚合物转化碳化硅型陶瓷材料吸波性能低的问题。
公开/授权文献
- CN115651202A 含吡啶环改性聚碳硅烷及吸波碳化硅陶瓷粉体的制备方法 公开/授权日:2023-01-31