本申请涉及传感技术领域，具体提供了一种压阻式压力传感器，该压阻式压力传感器包括硅基层、金属引线。硅基层的一个侧面设置有凹陷结构，凹陷结构的底部形成硅膜片，硅膜片远离凹陷结构一侧的表面上设置有超浅掺杂区，金属引线固定设置于硅基层远离凹陷结构一侧，金属引线至少一端与超浅掺杂区固定接触。超浅掺杂区通过金属引线连接入电回路中。金属引线使用磁控溅射或沉积法制备。超浅掺杂区采用低能量的离子注入工艺制造。凹陷结构采用时分复用法刻蚀技术制备。本发明中超浅掺杂区的掺杂厚度为纳米数量级，这样在微小压力环境中形变量较小的情况下，仍然能够引起较大的电阻值变化，从而实现微小压力的高灵敏探测。