发明公开
- 专利标题： 磁存储器及其退火方法
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申请号： CN202211703454.6申请日： 2022-12-29
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公开(公告)号： CN115662482A公开(公告)日： 2023-01-31
- 发明人: 王戈飞 , 金辉 , 殷加亮 , 陈思宇
- 申请人： 致真存储(北京)科技有限公司
- 申请人地址： 北京市海淀区知春路23号5层504A、504B室
- 专利权人： 致真存储(北京)科技有限公司
- 当前专利权人： 致真存储(北京)科技有限公司
- 当前专利权人地址： 北京市海淀区知春路23号5层504A、504B室
- 代理机构： 北京墨丘知识产权代理事务所
- 代理商 魏梳芳
- 主分类号： G11C11/16
- IPC分类号： G11C11/16 ; C21D9/00 ; C21D1/26 ; C21D1/04
摘要：
本发明提供一种磁存储器及其退火方法，涉及磁存储器技术领域。本发明通过在退火过程中，对磁隧道结单元进行单点操作，改变单个或多个磁隧道结单元的固定层的磁化方向，实现单点或多点精确退火，同时，改变磁化方向后的固定层的磁化方向，在磁场复杂环境下，固定层的磁化方向稳定，不易发生改变，提高了磁存储器的可靠性及有效性。
公开/授权文献
- CN115662482B 磁存储器及其退火方法 公开/授权日：2023-03-31
