-
公开(公告)号：CN115662482A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202211703454.6
申请日：2022-12-29
申请人： 致真存储(北京)科技有限公司
摘要： 本发明提供一种磁存储器及其退火方法，涉及磁存储器技术领域。本发明通过在退火过程中，对磁隧道结单元进行单点操作，改变单个或多个磁隧道结单元的固定层的磁化方向，实现单点或多点精确退火，同时，改变磁化方向后的固定层的磁化方向，在磁场复杂环境下，固定层的磁化方向稳定，不易发生改变，提高了磁存储器的可靠性及有效性。
-
公开(公告)号：CN114547711A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202111412476.2
申请日：2021-11-25
申请人： 致真存储(北京)科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种磁存储器及其数据销毁方法，涉及磁存储领域，所述磁存储器包括：至少一个通过控制线相连接的销毁层，设置于每个相应销毁层之上的磁隧道结；销毁层接收销毁指令，并将所述销毁指令通过控制线传输至其他各销毁层，以使全部销毁层通过场效应改变相应磁隧道结阻态的方式，销毁磁存储器包对应的数据。至少一个销毁层中的任一销毁层实现为通过线圈连接的销毁装置，所述线圈用于接收所述销毁指令。可见，本发明的实施例提供了一种磁存储器及数据销毁方法，通过销毁装置产生的场效应，任一销毁层通过场效应更改磁隧道结阻态或对任一磁隧道结进行击穿破坏或与磁隧道结对应的连接电路进行熔断的方式，销毁磁隧道结对应的数据。
-
公开(公告)号：CN113948131A
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN202111366689.6
申请日：2021-11-18
申请人： 致真存储(北京)科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种磁存储器及其数据复位方法，涉及磁存储领域，所述磁存储器包括：通过控制线相互连接的至少一个复位层，以及设置于每个相应复位层之上的磁隧道结，至少一个复位层通过改变磁隧道结阻态的方式使每个磁隧道结所存储的数据变更为初始数据，任一复位层实现为通过线圈连接的复位装置，线圈用于接收复位指令。可见，本发明的实施例提供了一种磁存储器及其数据复位方法，通过对磁存储器设置的磁隧道结下方加入复位层或复位线，通过复位层或复位线设置的复位装置产生的场效应，使磁隧道结中自由层磁矩方向发生转变，进而影响磁隧道结阻态息发生转变，并结合出厂前预先设置的固定层磁矩方向，实现对初始存储信息的复位效果。
-
公开(公告)号：CN115662482B
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202211703454.6
申请日：2022-12-29
申请人： 致真存储(北京)科技有限公司
摘要： 本发明提供一种磁存储器及其退火方法，涉及磁存储器技术领域。本发明通过在退火过程中，对磁隧道结单元进行单点操作，改变单个或多个磁隧道结单元的固定层的磁化方向，实现单点或多点精确退火，同时，改变磁化方向后的固定层的磁化方向，在磁场复杂环境下，固定层的磁化方向稳定，不易发生改变，提高了磁存储器的可靠性及有效性。
-
公开(公告)号：CN114067875A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202111366675.4
申请日：2021-11-18
申请人： 致真存储(北京)科技有限公司
IPC分类号： G11C11/16
摘要： 本发明公开了一种磁存储器及其数据擦除方法，涉及磁存储领域，所述磁存储器包括：擦写层，以及顺次设置于所述擦写层之上的磁隧道结；所述擦写层用以通过改变所述磁隧道结阻态的方式擦除已存储数据；所述磁存储器结构还包括：擦写线；所述擦写线为线类结构，排布于所述磁隧道结下方，用以代替所述擦写层，通过改变所述磁隧道结阻态的方式擦除已存储数据。可见，本发明示意的磁存储器通过对磁存储器设置的磁隧道结下方加入擦写层或擦写线，通过擦写层或擦写线设置的擦写装置产生的场效应，使磁隧道结中自由层磁矩方向发生转变，进而影响磁隧道结阻态以及阻态对应的写入信息发生转变，实现对初始存储信息的擦除效果。
-
公开(公告)号：CN113961983A
公开(公告)日：2022-01-21
申请号：CN202111412465.4
申请日：2021-11-25
申请人： 致真存储(北京)科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种磁存储器及数据选通销毁方法，涉及磁存储领域，所述磁存储器包括：至少一个销毁层，设置于每个相应销毁层之上或之下的磁隧道结；所述至少一个销毁层中的任一销毁层通过场效应更改相应磁隧道结阻态的方式，销毁磁隧道结对应的数据。至少一个销毁层中的任一销毁层实现为通过线圈连接的销毁装置，所述线圈用于接收所述销毁指令。可见，本发明的实施例提供了一种磁存储器及数据销毁方法，通过对磁存储器设置的磁隧道结下方加入销毁层或销毁线，通过销毁层或销毁线设置的销毁装置产生的场效应，至少一个销毁层中的任一销毁层通过场效应更改相应磁隧道结阻态或者对任一磁隧道结对应的连接电路进行熔断的方式，销毁磁隧道结对应的数据。
-
-
-
-
-
搜索结果
6 条记录 (耗时 0.041 秒)
