本发明的课题是提供能够抑制Si‑C复合材料的经时氧化的复合粒子。本发明的复合粒子(B)是包含含有碳和硅的复合粒子(A)以及覆盖其表面的非晶质层的复合粒子(B)，在所述复合粒子(B)的拉曼光谱中，硅的峰存在于450～495cm‑1，将该峰的强度表示为ISi，将G带的强度(1600cm‑1附近的峰强度)表示为IG，并将D带的强度(1360cm‑1附近的峰强度)表示为ID时，ISi/IG为0.10以上且0.65以下，R值(ID/IG)为1.00以上且1.30以下，所述复合粒子(B)在使用Cu‑Kα射线的XRD谱图中，Si的111面的半峰宽为3.0度以上。