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公开(公告)号:CN115668539A
公开(公告)日:2023-01-31
申请号:CN202180037406.5
申请日:2021-05-28
申请人: 昭和电工株式会社
IPC分类号: H01M4/38 , C01G23/00 , C01G33/00 , H01M4/133 , H01M4/134 , H01M4/36 , H01M4/48 , H01M4/485 , H01M4/587 , C01B32/05 , C01B32/25
摘要: 本发明的课题是提供能够抑制Si‑C复合材料的经时氧化的复合粒子。本发明的复合粒子(B)是包含含有碳和硅的复合粒子(A)以及覆盖其表面的非晶质层的复合粒子(B),在所述复合粒子(B)的拉曼光谱中,硅的峰存在于450~495cm‑1,将该峰的强度表示为ISi,将G带的强度(1600cm‑1附近的峰强度)表示为IG,并将D带的强度(1360cm‑1附近的峰强度)表示为ID时,ISi/IG为0.10以上且0.65以下,R值(ID/IG)为1.00以上且1.30以下,所述复合粒子(B)在使用Cu‑Kα射线的XRD谱图中,Si的111面的半峰宽为3.0度以上。
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公开(公告)号:CN101405355B
公开(公告)日:2012-12-05
申请号:CN200780009396.4
申请日:2007-03-16
申请人: 昭和电工株式会社
摘要: 本发明涉及一种热固性树脂组合物,包含(A)20-90质量%热固性树脂、(B)10-80质量%无机和/或有机细粒子和(C)0.1-5质量%含氟聚醚,其中(C)是具有式(1)或(2)氟代烷基聚氧杂环丁烷结构的聚合物(式中m是1-100的整数,n是1-6的整数,R1表示氢原子或具有1-6个碳原子的烷基,R2和R3各自表示具有1-20个碳原子的直链或支化烷基,条件是烷基中存在的至少50%氢原子被氟原子取代,其它氢原子被氢原子、碘原子、氯原子或溴原子取代)或含由具有氟代烷基聚氧杂环丁烷结构的单体和具有2-6个碳原子的含氧单体组成的共聚物的组合物。
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公开(公告)号:CN102177627A
公开(公告)日:2011-09-07
申请号:CN200980139999.5
申请日:2009-10-06
申请人: 昭和电工株式会社
CPC分类号: H01C7/12 , H01T4/10 , H05K1/0259 , H05K2201/09672 , H05K2201/09881
摘要: 本发明的课题是提供对于各种各样的设计的电子电路基板能够自由且简便地谋求静电放电对策的静电放电保护体。本发明的静电放电保护体,其特征在于,具有包括1对电极和电极以外的导电性构件在内的至少3个导电性构件,各个导电性构件被配置成与其他的导电性构件的至少1个的间隙的宽度为0.1~10μm,在与各导电性构件相邻的宽度为0.1~10μm的间隙的至少1个中,以填埋该间隙的方式配置有绝缘性构件,所述电极中的一个电极,介由所述绝缘性构件和电极以外的所述导电性构件,与和该一个电极构成对的电极连结。
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公开(公告)号:CN1965267A
公开(公告)日:2007-05-16
申请号:CN200580016835.5
申请日:2005-05-25
申请人: 昭和电工株式会社
发明人: 井上浩文
IPC分类号: G03F7/038
CPC分类号: G03F7/0388 , G03F7/027 , G03F7/038 , H05K3/287
摘要: 本发明涉及光敏树脂组合物及其固化产物和用途,该光敏树脂组合物包括:(A)环氧(甲基)丙烯酸酯树脂,由包含(a)环氧预聚物、(b)含不饱和基团的单羧酸和(c)酸酐的组分合成,(B)(甲基)丙烯酸氨基甲酸酯树脂,由包含(d)具有羧基的二羟基化合物、(e)数均分子量为200-20,000的多元醇化合物、(f)具有(甲基)丙烯酰基的羟基化合物和(g)二异氰酸酯化合物的组分合成,(C)环氧树脂,(D)稀释剂,(E)光聚合引发剂以及如果适当的话(F)无机离子交换剂。本发明的光敏树脂组合物具有好的光敏性、显影性、挠性并呈现出优异的HHBT性能,可适用于印刷电路板。
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公开(公告)号:CN105026444B
公开(公告)日:2017-05-10
申请号:CN201480010954.9
申请日:2014-02-27
申请人: 昭和电工株式会社
IPC分类号: C08F218/16 , C08F263/08
CPC分类号: C08F222/1006 , C08F216/125 , C08F2222/104 , C09D4/00
摘要: 本发明提供一种固化性组成物,相对于烯丙基封端烯丙酯低聚物(A)100质量份,具有烯丙基的交联助剂(B)0.5~100质量份、多官能(甲基)丙烯酸系化合物(C)5~50质量份、且作为聚合引发剂(D)含有0.1~10质量份的比例的光聚合引发剂(D1)和/或0.1~10质量份的比例的热聚合引发剂(D2),源自交联助剂(B)的杂质在固化性组合物中的含量小于0.1质量%,且分子内具有羟基的多官能(甲基)丙烯酸系化合物(C1)在固化性组合物中的含量为0.5~30质量%。通过使本发明的固化性组成物聚合固化,可得到具有光学用途所要求的透明性,表面硬度高,耐热性及耐热变色性优异,且线膨胀率低的膜或片材料。
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公开(公告)号:CN102924998A
公开(公告)日:2013-02-13
申请号:CN201210393856.0
申请日:2008-07-11
申请人: 昭和电工株式会社
IPC分类号: C09D11/10
CPC分类号: H05K3/285 , C08G59/4246 , H01L23/293 , H01L2924/0002 , H05K2203/124 , Y10T428/31551 , Y10T428/31605 , Y10T428/31609 , H01L2924/00
摘要: 本申请发明所涉及的热固性树脂组合物含有树脂(A)、固化促进剂(B)和固化剂(C),所述树脂(A)含有2个以上羧基并具有聚氨酯结构,作为所述固化促进剂(B)是pKa为10.0~14.0的强碱性含氮杂环化合物。热固性树脂组合物的固化物可作为印刷布线板、挠性印刷布线板、覆晶薄膜等的绝缘保护皮膜使用。通过本发明的热固性树脂组合物,可改良低温固化性、快速固化性,能够实现不胶粘,并能够同时实现低翘曲性和电绝缘性,不因加热时的外溢气而污染固化炉等,具有充分的可使用时间,能够形成优异的固化物、绝缘保护皮膜,可以低成本且生产性良好地形成阻焊剂、绝缘保护皮膜。另外,利用该组合物,可以提供具有优异的特性的电子部件。
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公开(公告)号:CN101400716B
公开(公告)日:2012-06-06
申请号:CN200780008930.X
申请日:2007-03-13
申请人: 昭和电工株式会社
CPC分类号: H05K3/285 , C08G18/12 , C08G18/348 , C08G18/44 , C08G18/6659 , C08G18/69 , C08G59/4269 , C08K5/1539 , C08K5/41 , C08L75/04 , C09D163/00 , C09D175/04 , H05K1/0393 , H05K2201/0209 , C08G18/282 , C08L2666/20 , C08L2666/04 , C08L2666/14
摘要: 本发明提供了可以得到与基材的密合性,特别是与锡的密合性优异,且电绝缘的长期可靠性优异,翘起小的保护膜的外覆剂和热固性树脂组合物。本发明的热固性树脂组合物特征在于,以含有羧基的聚氨酯树脂(A)、固化剂(B)、和酸酐(C)为必须成分。另外,本发明的挠性电路基板用外覆剂的特征在于,含有上述构成的热固性树脂组合物。本发明的表面保护膜的特征在于,由上述的热固性树脂组合物的固化物形成。
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公开(公告)号:CN101175787A
公开(公告)日:2008-05-07
申请号:CN200680017103.2
申请日:2006-05-16
申请人: 昭和电工株式会社
摘要: 公开了含羧基的聚氨酯(A),其由包含至少10mol%(相对于多元醇(b)总量(100mol%))多元醇(b1)的多元醇(b)制备,所述多元醇(b1):(i)具有500-50,000的数均分子量;(ii)每分子具有1-10个羟基;和(iii)为选自聚丁二烯多元醇、聚异戊二烯多元醇、氢化聚丁二烯多元醇和氢化聚异戊二烯多元醇中的一种或者两种或更多种多元醇的组合。所述含羧基的聚氨酯(A)适合作为固化产物如固化膜的原料,所述固化产物在与基材的附着性、低扭曲性、柔性、耐镀性、焊接耐热性和长期可靠性方面优异。
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公开(公告)号:CN101068893A
公开(公告)日:2007-11-07
申请号:CN200580039566.4
申请日:2005-11-18
申请人: 昭和电工株式会社
发明人: 井上浩文
IPC分类号: C09D163/00 , G03C5/00 , H05K1/00
CPC分类号: G03C5/00 , H05K1/0393 , H05K3/244 , H05K3/287 , Y10T428/265
摘要: 本发明涉及一种绝缘树脂固化膜,其在基本不含铜的锡镀层形成之后提供在用于电子元件的柔性印刷布线板上,其中所述膜在固化之后的玻璃化转变温度为80℃或更低,以及一种生产这种膜的方法。本发明提供了一种用于电子元件的具有基本不含铜的锡镀层的柔性印刷布线板,其中在锡镀层上涂覆有可光固化和热固性的树脂的树脂固化膜,其中与现有方法提供的电路板相比,较少的铜扩散入纯锡镀层中。
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公开(公告)号:CN115699360A
公开(公告)日:2023-02-03
申请号:CN202180037791.3
申请日:2021-05-28
申请人: 昭和电工株式会社
IPC分类号: H01M4/36 , C01B33/029 , H01M4/38 , C01B32/00
摘要: 本发明的课题是提供一种碳被覆Si‑C复合粒子,其能够兼具维持锂离子二次电池的高Si利用率和抑制由经时氧化引起的初始库仑效率劣化。本发明的碳被覆Si‑C复合粒子,在含有碳材料和硅的Si‑C复合粒子表面存在碳质层,碳被覆率为70%以上,BET比表面积为200m2/g以下,在所述碳被覆Si‑C复合粒子的拉曼光谱中,R值(ID/IG)为0.30以上且1.10以下,由Si引起的峰存在于450~495cm‑1,将该峰的强度表示为ISi时,ISi/IG为0.15以下,所述碳被覆Si‑C复合粒子在使用Cu‑Kα射线的粉末XRD测定的XRD谱中,Si111面的半峰宽为3.00度以上,(SiC111面的峰强度)/(Si111面的峰强度)为0.01以下。
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