本发明公开了一种环栅晶体管及其制造方法，涉及半导体技术领域，用于提升环栅晶体管的工作性能。所述环栅晶体管包括：半导体基底、有源结构、第一栅堆叠结构和第二栅堆叠结构。有源结构形成在半导体基底上。有源结构包括源区、漏区、以及位于源区和漏区之间的沟道区。沿源区至漏区的方向，第一栅堆叠结构和第二栅堆叠结构依次环绕在沟道区外周。第一栅堆叠结构包括的第一功函数层和第二栅堆叠结构包括的第二功函数层的材料完全不同，第一功函数层和第二功函数层均为非夹断层。所述环栅晶体管的制造方法用于制造所述环栅晶体管。