发明公开
CN115777140A 特征中的钼沉积
审中-实审
- 专利标题： 特征中的钼沉积
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申请号： CN202280005320.9申请日： 2022-01-03
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公开(公告)号： CN115777140A公开(公告)日： 2023-03-10
- 发明人: 罗郑硕 , 施卢蒂·维维克·托姆贝尔 , 谢耀宗 , 大卫·约瑟夫·曼迪亚 , 照健·史蒂文·黎
- 申请人： 朗姆研究公司
- 申请人地址： 美国加利福尼亚州
- 专利权人： 朗姆研究公司
- 当前专利权人： 朗姆研究公司
- 当前专利权人地址： 美国加利福尼亚州
- 代理机构： 上海胜康律师事务所
- 代理商 李献忠; 张华
- 优先权： 63/199,525 20210105 US
- 国际申请： PCT/US2022/011053 2022.01.03
- 国际公布： WO2022/150270 EN 2022.07.14
- 进入国家日期： 2022-12-29
- 主分类号： H01L21/768
- IPC分类号： H01L21/768
摘要：
本发明提供包含使用氯化钼(MoClx)前体沉积薄保护性Mo层的沉积工艺。这可随后为使用卤氧化钼(MoOyXz)前体来填充特征的Mo沉积。保护性Mo层实现使用MoOyXz前体的Mo填充，而不氧化下伏表面。还提供一种原位清洁工艺，其中在沉积之前使用MoClx前体从下伏表面去除氧化物。使用MoClx前体的后续沉积可沉积初始层和/或填充特征。
IPC分类:
