Invention Grant
- Patent Title: 非对称SiC沟槽结构及其制作方法、电子器件
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Application No.: CN202310149073.6Application Date: 2023-02-21
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Publication No.: CN115841952BPublication Date: 2023-06-06
- Inventor: 李良 , 王宽 , 王浙辉 , 柳俊 , 肖科
- Applicant: 湖北九峰山实验室
- Applicant Address: 湖北省武汉市东湖开发区关东科技工业园华光大道18号19层
- Assignee: 湖北九峰山实验室
- Current Assignee: 湖北九峰山实验室
- Current Assignee Address: 湖北省武汉市东湖开发区关东科技工业园华光大道18号19层
- Agency: 北京集佳知识产权代理有限公司
- Agent 崔清杨
- Main IPC: H01L21/336
- IPC: H01L21/336 ; H01L29/78 ; H01L29/423 ; H01L21/308
Abstract:
本申请公开了一种非对称SiC沟槽结构及其制作方法、电子器件，通过光刻和刻蚀形成非对称SiC沟槽结构，使该非对称SiC沟槽结构的一侧边为倾斜面，另一侧边为直立面。在后续制作电子器件的过程中采用该非对称SiC沟槽结构，使得非对称SiC沟槽的底部与P+区的距离减小从而更好的被P+区保护，实现降低栅氧中的最大场强，提高栅氧的可靠性，防止栅氧被提前击穿的目的。
Public/Granted literature
- CN115841952A 非对称SiC沟槽结构及其制作方法、电子器件 Public/Granted day:2023-03-24
Information query
IPC分类:
